[发明专利]一种新型PSS基板结构及其制作方法

说明书

本发明公开了一种新型PSS基板结构及其制作方法，PSS基板包括单位图和曝光区，且单位图均匀分布在曝光区内，制作方法包括以下步骤：利用旋涂的方法，在PSS基板上涂覆一层负性光刻胶，将负性光刻胶曝光显影，得到带胶的具有圆形孔洞的PSS基板，然后再进行干蚀刻制程，刻出具有多个上大下小的六边形孔洞的PSS基板。本发明两组PSS基板在拼接时，可将两者的外缘拼接重叠区拼接，对不同的曝光区域进行曝光，最终各曝光区域拼接后实现整个曝光场的曝光，实现曝光的均匀性，提高曝光质量；利用本发明方法涂覆的负性光刻胶，厚度适宜，且涂覆均匀，同时配合上大下小圆形孔洞的配合，可大幅度的增加光的取出效率。

技术领域

本发明涉及PSS基板技术领域，尤其涉及一种新型PSS基板结构及其制作方法。

背景技术

图形化蓝宝石衬底（Patterned Sapphire Substrate,PSS），也就是在蓝宝石衬底上生长干法刻蚀用掩膜，用标准的光刻工艺将掩膜刻出图形，利用ICP 刻蚀技术刻蚀蓝宝石，并去掉掩膜，再在其上生长GaN 材料，使GaN 材料的纵向外延变为纵向外延。一方面可以有效减少GaN 外延材料的位错密度，从而减小有源区的非辐射复合，减小反向漏电流，提高LED 的寿命；随着LED 领域工艺技术的发展，以及整个LED 行业的迅速壮大，对GaN 基LED 器件PSS 衬底的研究也逐渐增多。如今各厂家纷纷采用PSS 技术，以提高LED 器件的光提取效率。

由于 LED 材料其折射系数大，光取出效率不佳，而透过 PSS 基版，除了降低外延缺陷外，亦可增加光的取出效率，但现有的PSS基板对光的取出效率的增加效果较弱，而且在PSS基板拼接后，会影响最终曝光质量，为此我们设计出了一种新型PSS基板结构及其制作方法来解决以上问题。

发明内容

本发明的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种新型PSS基板结构及其制作方法。

为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：

一种新型PSS基板结构，所述PSS基板包括单位图和曝光区，且单位图均匀分布在曝光区内。

优选的，所述曝光区的表面呈凹凸不平状，曝光区的上下两侧均设有外缘拼接重叠区。

优选的，所述单位图在曝光区内形成均匀分布的孔洞，孔洞为上大下小的同心圆形孔洞。

一种新型PSS基板结构的制作方法，括以下步骤：利用旋涂的方法，在PSS基板上涂覆一层负性光刻胶，将光刻胶曝光显影，得到带胶的具有圆形孔洞的PSS基板，然后再进行干蚀刻制程，刻出具有多个上大下小的六边形孔洞的PSS基板。

优选的，所述负性光刻胶的厚度为2.0～2.3um，最佳厚度为2.3um。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：

1、两组PSS基板在拼接时，可将两者的外缘拼接重叠区拼接，即单位图在曝光区边缘处的大半圆互相拼接的方式，对不同的曝光区域进行曝光，最终各曝光区域拼接后实现整个曝光场的曝光，实现曝光的均匀性，拼接位置对应的曝光能量与其他位置对应的曝光能量相一致，达到消除残胶、提高曝光质量的目的；

2、在PSS基板上涂覆负性光刻胶，负性光刻胶在接受一定波长的光或者射线时,会相应的发生一种光化学反应或者激励作用，可诱发光刻胶的化学反应，利用本发明方法涂覆的负性光刻胶，厚度适宜，且涂覆均匀，同时配合上大下小圆形孔洞的配合，可大幅度的增加光的取出效率。

附图说明

图1为本发明提出的一种新型PSS基板光刻后的结构示意图；

图2为本发明提出的一种新型PSS基板结构的光刻后SEM侧视图；

图3为本发明提出的一种新型PSS基板结构的光刻后SEM俯视图。