[发明专利]一种处理半导体晶圆的方法

权利要求书

1.一种处理半导体晶圆的方法，包括：

步骤一：设定执行预定的半导体工艺的工艺参数；

步骤二：以所设的工艺参数对半导体晶圆执行所述半导体工艺；

步骤三：计算采用所设的工艺参数执行所述半导体工艺对所述半导体晶圆积累的热通量值；以及

步骤四：判断所述热通量值是否在预定的热通量阈值范围内，以判断所设的工艺参数是否合规；其中

所述半导体工艺包括多个工艺步骤，

所述步骤三包括计算每个工艺步骤对所述半导体晶圆积累的热通量值；

所述步骤四包括判断每个工艺步骤的热通量值是否在预定的对应步骤的热通量阈值范围内，且判断多个工艺步骤的热通量值之和是否在预定的热通量阈值范围内，以判断所设的工艺参数是否合规。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤四中，若任一工艺步骤的热通量值不符合预定的对应步骤的热通量阈值范围，或多个工艺步骤的热通量值之和不符合预定的热通量阈值范围，则所设的工艺参数不合规。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

响应于在步骤四中，所设的工艺参数不合规，调整步骤一中设定的工艺参数，重复步骤二至步骤四，直至在步骤四中，判断出合规的工艺参数；以及

采用所述合规的工艺参数对若干半导体晶圆执行所述半导体工艺。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤一包括设定分别用于在第一机台和第二机台执行所述半导体工艺的工艺参数；

所述步骤二包括分别在所述第一机台和所述第二机台以所设的相应工艺参数对相应的半导体晶圆执行所述半导体工艺；

所述步骤三包括分别计算所述第一机台上和所述第二机台上的相应半导体晶圆所积累的热通量值；

所述步骤四包括分别判断所述第一机台上和所述第二机台上的相应半导体晶圆所积累的热通量值是否合规，所述方法还包括：

响应于在所述第一机台和所述第二机台所设的相应的工艺参数皆合规，进一步判断所述第一机台上和所述第二机台上的相应半导体晶圆所积累的热通量值的差异是否小于预定差值阈值，以判断所述第一机台和所述第二机台的所述半导体工艺是否匹配。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述步骤三包括分别计算每个工艺步骤对所述第一机台上和所述第二机台上的相应半导体晶圆积累的热通量值；

所述步骤四包括分别判断每个工艺步骤在所述第一机台上和所述第二机台上的热通量值是否在预定的对应步骤的热通量阈值范围内，且判断在所述第一机台上和所述第二机台上的多个工艺步骤的热通量值之和是否在预定的热通量阈值范围内，以判断所设的工艺参数是否合规；

响应于在所述第一机台和所述第二机台所设的相应的工艺参数皆合规，所述方法还包括：

进一步判断每个工艺步骤在所述第一机台上和所述第二机台上的相应半导体晶圆所积累的热通量值的差值是否小于预定的对应步骤的差值阈值，且判断在所述第一机台上和所述第二机台上的多个工艺步骤的热通量值之和的差值是否小于预定差值阈值，以判断所述第一机台和所述第二机台的所述半导体工艺是否匹配。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述判断所设的工艺参数是否合规进一步包括：若任一工艺步骤的热通量值不符合预定的对应步骤的热通量阈值范围，或多个工艺步骤的热通量值之和不符合预定的热通量阈值范围，则所设的工艺参数不合规；和/或

所述判断所述第一机台和所述第二机台的所述半导体工艺是否匹配进一步包括：若任一工艺步骤在所述第一机台上和所述第二机台上的热通量值的差值不符合预定的对应步骤的差值阈值，或在所述第一机台上和所述第二机台上的多个工艺步骤的热通量值之和的差值不符合预定差值阈值，则所述第一机台和所述第二机台的所述半导体工艺不匹配。