[发明专利]一种处理半导体晶圆的方法

说明书

本发明属于半导体制造技术领域，具体公开了一种处理半导体晶圆的方法。该方法包括：设定执行预定的半导体工艺的工艺参数；以所设的工艺参数对半导体晶圆执行上述半导体工艺；计算采用所设的工艺参数执行上述半导体工艺对上述半导体晶圆积累的热通量值；以及判断上述热通量值是否在预定的热通量阈值范围内，以判断所设的工艺参数是否合规。本发明既能表现器件缺陷，又能及时注意到高温下热扩散效应对器件的影响，从而对半导体工艺的稳定性进行更精确的监控，以增强工艺展开的准确性和预见性，保证产品得到稳定的电学特性和良率。

技术领域

本发明属于半导体制造技术领域，具体公开了一种处理半导体晶圆的方法。

背景技术

CMOS图像传感器是一种电性的固体成像传感器，由于其本身所具有的高集成特性，其在系统复杂程度、可靠性、数据输出，以及曝光控制精度等方面，都具有比传统的CCD更强的优越性。CMOS图像传感器因体积小、重量轻，被广泛用于含摄像功能的智能手机等移动设备中。

在CMOS图像传感器的半导体工艺生产中，对干法去胶工艺有很高的要求。在现有的高温干法去胶工艺过程中，由前层工艺所带来的金属离子会在热扩散效应的作用下进行重新分布，而CMOS图像传感器在工艺生产中对金属离子的影响十分敏感。因此，不同热效应下的干法去胶工艺，会对CMOS图像传感器像素性能带来不可忽视的影响。

上述技术问题还会发生在不同设备供应商、不同型号设备间的工艺匹配上。现有的评价标准在工艺展开阶段无法及时评估金属离子的影响，只有在电性或良率阶段才能发现差异，且不同型号和构造的机台具有不同的评价标准，无法作为业内通用的评价标准。

经研究表明，金属离子在衬底的扩散程度与热通量有正比关系，因此，在工艺开发和工艺转移过程中，干法去胶工艺过程所引发的热扩散效应逐渐成为一个重要的通用评价标准。

基于以上原因，在干法去胶工艺的开发过程中，需要一种既能表现器件缺陷，又能及时注意到高温下热扩散效应对器件影响的处理方法，从而对半导体工艺的稳定性进行更精确的监控，以增强工艺展开的准确性和预见性，保证产品得到稳定的电学特性和良率。

发明内容

以下给出一个或多个方面的简要概述以提供对这些方面的基本理解。此概述不是所有构想到的方面的详尽综览，并且既非旨在指认出所有方面的关键性或决定性要素亦非试图界定任何或所有方面的范围。其唯一的目的是要以简化形式给出一个或多个方面的一些概念以为稍后给出的更加详细的描述之序。

为了既要表现器件缺陷，又要及时注意到高温下热扩散效应对器件的影响，从而对半导体工艺的稳定性进行更精确的监控，以增强工艺展开的准确性和预见性，保证产品得到稳定的电学特性和良率，本发明提供了一种处理半导体晶圆的方法。

本发明提供的上述处理半导体晶圆的方法，可以包括步骤：

步骤一：设定执行预定的半导体工艺的工艺参数；

步骤二：以所设的工艺参数对半导体晶圆执行上述半导体工艺；

步骤三：计算采用所设的工艺参数执行上述半导体工艺对上述半导体晶圆积累的热通量值；以及

步骤四：判断上述热通量值是否在预定的热通量阈值范围内，以判断所设的工艺参数是否合规。

优选地，在本发明提供的上述处理半导体晶圆的方法中，上述半导体工艺可以包括多个工艺步骤，

上述步骤三可以包括：计算每个工艺步骤对上述半导体晶圆积累的热通量值；

上述步骤四可以包括：判断每个工艺步骤的热通量值是否在预定的对应步骤的热通量阈值范围内，且判断多个工艺步骤的热通量值之和是否在预定的热通量阈值范围内，以判断所设的工艺参数是否合规。