[发明专利]一种具有载流子存储层的平面栅IGBT器件

权利要求书

1.一种具有载流子存储层的IGBT器件，包括：

耐压区（1）；

设置于耐压区上的N型载流子存储层（3）与N型半导体层（17）；

设置于N型载流子存储层（3）上的N型JFET区（2）及与之相邻的P型基区（6），且所述P型基区（6）同时位于N型半导体层（17）上；

设置在P型基区（6）内的N型阴极源区（4）及与之相邻的P型体接触区（5）；

设置于P型基区（6）上表面的一个深入至耐压区（1）的深槽，所述深槽贯穿所述体接触区（5）与P型基区（6）、且将N型载流子存储层（3）与N型半导体层（17）完全分隔；所述深槽下方设置有位于耐压区（1）中的P型埋层（7），且P型埋层与深槽底部相接触；所述深槽由槽壁介质层（15）和槽内导体（16）构成；

设置于N型JFET区（2）与P型基区（6）上表面的栅氧化层（10）和阴极金属（13），所述栅氧化层覆盖了部分或全部N型JFET区（2）、部分P型基区（6）及部分阴极源区（4），所述阴极金属覆盖部分阴极源区（4）、体接触区（5）及深槽，且所述栅氧化层（10）与阴极金属（13）不接触；

设置于栅氧化层（10）上的重掺杂多晶硅（11），设置于重掺杂多晶硅上的栅电极金属（12）；

设置在耐压区（1）下的N型缓冲层（9），设置在N型缓冲层下的P型阳极区（8），设置在P型阳极区下的阳极金属（14）；

所述N型半导体层（17）的掺杂浓度小于或等于所述N型载流子存储层（3）的掺杂浓度。