[发明专利]一种厚铜DCB板的制备方法

权利要求书

1.一种厚铜DCB板的制备方法，其特征在于，包括：

在初始DCB板的至少一个铜层表面覆盖铜箔；

在所述铜箔背向所述初始DCB板一侧表面覆盖加压基板；其中，所述加压基板朝向所述铜箔一侧表面的表面粗糙度不大于10nm；

在预设温度下通过所述加压基板向所述初始DCB板与所述铜箔之间施加预设压强，至所述初始DCB板与所述铜箔相互键合；

将所述加压基板从所述铜箔表面分离，以制成所述厚铜DCB板。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在初始DCB板的至少一个铜层表面覆盖铜箔包括：

在初始DCB板的至少一个铜层表面覆盖铜箔；其中，所述铜箔的厚度的取值范围为10μm至300μm，包括端点值。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在初始DCB板的至少一个铜层表面覆盖铜箔包括：

在所述初始DCB板相对设置的两个铜层表面分别覆盖铜箔。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述铜箔背向所述初始DCB板一侧表面覆盖加压基板包括：

在所述铜箔背向所述初始DCB板一侧表面覆盖加压基板；其中，所述加压基板的厚度的取值范围为200μm至1000μm，包括端点值。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述在所述铜箔背向所述初始DCB板一侧表面覆盖加压基板包括：

在所述铜箔背向所述初始DCB板一侧表面覆盖加压基板；其中，所述加压基板为氧化铝基板、或碳化硅基板、或二氧化硅基板。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在预设温度下通过所述加压基板向所述初始DCB板与所述铜箔之间施加预设压强包括：

在预设温度下通过所述加压基板向所述初始DCB板与所述铜箔之间施加预设压强；其中，所述预设温度不低于铜熔点温度的80％。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述在预设温度下通过所述加压基板向所述初始DCB板与所述铜箔之间施加预设压强包括：

在预设温度下通过所述加压基板向所述初始DCB板与所述铜箔之间施加预设压强；其中，所述预设压强的取值范围为10MPa至500MPa，包括端点值。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述在预设温度下通过所述加压基板向所述初始DCB板与所述铜箔之间施加预设压强，至所述初始DCB板与所述铜箔相互键合包括：

在预设温度下通过所述加压基板向所述初始DCB板与所述铜箔之间施加预设压强并保持预设时间，以使所述初始DCB板与所述铜箔相互键合；其中，所述预设时间的取值范围为1min至100min，包括端点值。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述在预设温度下通过所述加压基板向所述初始DCB板与所述铜箔之间施加预设压强包括：

将覆盖有所述加压基板的所述初始DCB板置于加压加热炉的底座表面；

通过所述加压加热炉的加压部件对所述加压基板施加预设压力，以在所述初始DCB板与所述铜箔之间施加预设压强；

通过所述加压加热炉的加热部件将所述初始DCB板与所述铜箔加热至预设温度。

10.根据权利要求1至9任一项权利要求所述的方法，其特征在于，所述在初始DCB板的至少一个铜层表面覆盖铜箔包括：

在多个初始DCB板的铜层表面分别覆盖铜箔；其中，相邻所述初始DCB板相对设置，任一所述DCB板均包括相对设置的两个铜层；

所述在所述铜箔背向所述初始DCB板一侧表面覆盖加压基板包括：

在相邻所述铜箔之间设置加压基板；并在位于最外侧的两个铜箔背向任一所述初始DCB板一侧表面分别覆盖所述加压基板。