[发明专利]一种厚铜DCB板的制备方法

说明书

本发明公开了一种厚铜DCB板的制备方法，先在初始DCB板的至少一个铜层表面覆盖铜箔，该初始DCB板即现阶段铜层较薄的DCB板；再在铜箔表面覆盖加压基板，该加压基板与铜箔接触的表面的表面粗糙度不大于10nm；之后在预设温度下将铜箔与DCB板的铜层键合，以增加该铜层的厚度；最终将加压基板与铜箔，即增厚的铜层分离，以制成厚铜DCB板。上述方法在将铜层增厚的同时，由于加压基板中与铜箔直接接触的表面的表面粗糙度不大于10nm，使得在将加压基板分离之后，原铜箔表面，现增厚后的铜层的表面的表面粗糙度会不大于20nm，从而使得制备而成的厚铜DCB板表面具有非常低的表面粗糙度，便于对电子器件进行封装。

技术领域

本发明涉及电子封装技术领域，特别是涉及一种厚铜DCB板的制备方法。

背景技术

电力电子技术作为国民经济的重要支撑技术涉及到国民经济各个工业部门和社会生活的各个方面，无论对传统工业的改造升级，还是对战略性新兴产业的快速发展均至关重要。随着电力电子器件功率和工作温度的不断提高，器件模块的散热性能和可靠性成为了电力电子技术发展应用的主要瓶颈。

在现阶段，通常使用DCB板(覆铜陶瓷板)作为封装电子器件的基板。但是现阶段的DCB板具有两个缺陷：第一，现阶段的DCB板表面的铜层厚度通常较薄，使得现阶段DCB板的散热性能不足；第二，现阶段的DCB板表面通常比较粗糙，在使用之前通常需要进行化学机械抛光，而化学机械抛光方法通常昂贵复杂费时，这将极大的增加制作成本，同时化学机械抛光方法无法适用于具有大翘曲的DCB板。

发明内容

本发明的目的是提供一种厚铜DCB板的制备方法，可以在有效增加DCB板铜层厚度的同时，使得厚铜DCB板表面具有较低的粗糙度。

为解决上述技术问题，本发明提供一种厚铜DCB板的制备方法，包括：

在初始DCB板的至少一个铜层表面覆盖铜箔；

在所述铜箔背向所述初始DCB板一侧表面覆盖加压基板；其中，所述加压基板朝向所述铜箔一侧表面的表面粗糙度不大于10nm；

在预设温度下通过所述加压基板向所述初始DCB板与所述铜箔之间施加预设压强，至所述初始DCB板与所述铜箔相互键合；

将所述加压基板从所述铜箔表面分离，以制成所述厚铜DCB板。

可选的，所述在初始DCB板的至少一个铜层表面覆盖铜箔包括：

在初始DCB板的至少一个铜层表面覆盖铜箔；其中，所述铜箔的厚度的取值范围为10μm至300μm，包括端点值。

可选的，所述在初始DCB板的至少一个铜层表面覆盖铜箔包括：

在所述初始DCB板相对设置的两个铜层表面分别覆盖铜箔。

可选的，所述在所述铜箔背向所述初始DCB板一侧表面覆盖加压基板包括：

在所述铜箔背向所述初始DCB板一侧表面覆盖加压基板；其中，所述加压基板的厚度的取值范围为200μm至1000μm，包括端点值。

可选的，所述在所述铜箔背向所述初始DCB板一侧表面覆盖加压基板包括：

在所述铜箔背向所述初始DCB板一侧表面覆盖加压基板；其中，所述加压基板为氧化铝基板、或碳化硅基板、或二氧化硅基板。

可选的，所述在预设温度下通过所述加压基板向所述初始DCB板与所述铜箔之间施加预设压强包括：

在预设温度下通过所述加压基板向所述初始DCB板与所述铜箔之间施加预设压强；其中，所述预设温度不低于铜熔点温度的80％。

可选的，所述在预设温度下通过所述加压基板向所述初始DCB板与所述铜箔之间施加预设压强包括：