[发明专利]微型半导体元件结构

权利要求书

1.一种微型半导体元件结构，包括：

基板；

多个微型半导体元件，设置于所述基板上方，所述多个微型半导体元件各自具有第一电极及第二电极，其设置于所述多个微型半导体元件的下表面上，其中所述下表面包含区域，其中所述区域在所述第一电极与所述第二电极之间；以及

多个第一支撑层，设置于所述基板及所述多个微型半导体元件之间，其中所述多个第一支撑层于所述基板上的正投影至少与所述区域于所述基板上的正投影部分重叠，其中所述多个第一支撑层与所述区域直接接触。

2.根据权利要求1所述的微型半导体元件结构，其中所述多个第一支撑层于所述基板上的正投影位于所述区域于所述基板上的正投影内。

3.根据权利要求1所述的微型半导体元件结构，其中所述多个第一支撑层的正投影由所述区域的正投影内朝第一方向延伸至所述区域的正投影外。

4.根据权利要求3所述的微型半导体元件结构，其中所述多个第一支撑层于所述基板上的正投影由所述区域的正投影内朝所述第一方向向外延伸至相邻的所述多个微型半导体元件的所述区域的正投影内。

5.根据权利要求4所述的微型半导体元件结构，其中在所述区域的正投影内，相邻的所述多个第一支撑层的正投影彼此不接触，形成多条不连续的所述多个第一支撑层。

6.根据权利要求4所述的微型半导体元件结构，其中在所述区域的正投影内，相邻的所述多个第一支撑层的正投影彼此接触，形成连续结构。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的微型半导体元件结构，还包括：

多个第二支撑层，设置于所述基板与所述多个第一支撑层之间。

8.根据权利要求7所述的微型半导体元件结构，其中所述多个第二支撑层于所述基板上的正投影位于所述区域的正投影内。

9.根据权利要求7所述的微型半导体元件结构，其中所述多个第二支撑层的正投影由所述区域的正投影内朝第二方向向外延伸，并横跨相邻的所述多个微型半导体元件的正投影，其中所述第二方向相异于所述第一方向。

10.根据权利要求7所述的微型半导体元件结构，其中所述多个第二支撑层的正投影位于相邻的所述多个微型半导体元件的正投影之间。

11.根据权利要求1所述的微型半导体元件结构，其中所述多个第一支撑层于所述基板上的正投影与所述第一电极及所述第二电极于所述基板上的正投影不重叠。

12.根据权利要求11所述的微型半导体元件结构，其中所述多个第一支撑层的宽度与所述区域的宽度的比值为小于1且大于或等于0.1。

13.根据权利要求7所述的微型半导体元件结构，其中所述多个第二支撑层于所述基板上的正投影与所述第一电极及所述第二电极于所述基板上的正投影不重叠。

14.根据权利要求7所述的微型半导体元件结构，其中所述多个第一支撑层的杨氏模量小于所述多个第二支撑层的杨氏模量。

15.根据权利要求1所述的微型半导体元件结构，其中任一个所述多个第一支撑层的厚度大于所述第一电极及所述第二电极的厚度。

16.根据权利要求7所述的微型半导体元件结构，其中任一个所述多个第一支撑层的厚度加上任一个所述多个第二支撑层的厚度大于所述第一电极及所述第二电极的厚度。

17.根据权利要求1所述的微型半导体元件结构，其中所述多个第一支撑层及所述区域直接接触的面积与所述区域的面积的比值系大于或等于0.1且小于或等于0.8。

18.根据权利要求7所述的微型半导体元件结构，其中任一个所述多个第二支撑层于所述基板上的正投影位于任一个所述多个第一支撑层于所述基板的正投影内。