[发明专利]微型半导体元件结构

说明书

本发明实施例揭示微型半导体元件结构。在一些实施例中，微型半导体元件结构可包括基板、设置于基板上方的多个微型半导体元件以及设置于基板及微型半导体元件之间的多个第一支撑层。微型半导体元件各自具有一第一电极及一第二电极，其设置于该些微型半导体元件的下表面上，其中该下表面包含一区域，其中该区域在该第一电极与该第二电极之间。第一支撑层于该基板上的正投影至少与该区域于该基板上的正投影部分重叠。第一支撑层与区域直接接触。

技术领域

本发明涉及半导体结构，尤其涉及微型半导体元件结构。

背景技术

随着光电科技的进步，许多光电元件的体积逐渐往小型化发展。近几年来由于发光二极管(Light Emitting Diode，LED)制作尺寸上的突破，目前将发光二极管以阵列排列制作的微型发光二极管(Micro LED)显示器在市场上逐渐受到重视。微型发光二极管显示器属于主动式微型半导体元件显示器，其除了相较于有机发光二极管(Organic Microsemiconductor Diode，OLED)显示器而言更为省电以外，也具备更佳优异的对比度表现，而可以在阳光下具有可视性。此外，由于微型发光二极管显示器采用无机材料，因此其相较于有机发光二极管显示器而言具备更佳优良的可靠性以及更长的使用寿命。

然而，微型发光二极管仍然具有一些缺点。例如在后续进行高温制程(例如共晶接合)时，微型发光二极管的一对电极可能变成熔融态而互相接触导致短路。此外，发光二极管经常透过支撑层来固持而使微型发光二极管较容易自载体基板上拾取并转移至接收基板上，且通过支撑层来巩固微型发光二极管，使微型发光二极管于转移时不会受到其他外因而影响品质。然而，在微型发光二极管转移至接收基板后，支撑层可能会残留在微型发光二极管上而影响后续制程，使微型发光二极管的效能降低。

因此，虽然现有的微型发光二极管已大致符合需求，但仍然存在许多问题，因此如何改善现有的微型发光二极管已成为目前业界相当重视的课题之一。

发明内容

本发明的一些实施例提供微型半导体元件结构，其中微型半导体元件结构可包括基板；设置于基板上方的多个微型半导体元件，微型半导体元件各自具有一第一电极及一第二电极，其设置于该些微型半导体元件的一下表面上，其中该下表面包含一区域；以及设置于基板及微型半导体元件之间的多个第一支撑层，其中第一支撑层于基板上的正投影至少与区域于基板上的正投影部分重叠，其中第一支撑层与区域直接接触。

本发明实施例的微型半导体元件结构具有设置于基板及微型半导体元件之间的第一支撑层，其可架高微型半导体元件以利拾取微型半导体元件。微型半导体元件结构可还包括设置于基板与第一支撑层之间的第二支撑层，以更稳固地支撑微型半导体元件。另外，第一支撑层及第二支撑层皆不占据微型半导体元件的侧壁旁的空间，使微型半导体元件能密集地排列在基板上。

在一些实施例中，第一支撑层于基板上的正投影完全位于区域于基板上的正投影内。在一些实施例中，第一支撑层的正投影由区域的正投影内朝第一方向延伸至区域的正投影外。在一些实施例中，第一支撑层于基板上的正投影由区域的正投影内朝第一方向向外延伸至相邻的微型半导体元件的区域的正投影内。在一些实施例中，在区域的正投影内，相邻的第一支撑层的正投影彼此不接触，形成多条不连续的第一支撑层。在一些实施例中，在区域的正投影内，相邻的第一支撑层的正投影彼此接触，形成连续结构。

在一实施例中，微型半导体元件结构，还包括：设置于基板与第一支撑层之间的多个第二支撑层。在一实施例中，第二支撑层于基板上的正投影位于区域的正投影内。在一实施例中，第二支撑层的正投影由区域的正投影内朝第二方向向外延伸，并横跨相邻的微型半导体元件的正投影，其中第二方向相异于第一方向。举例来说，第二方向垂直于第一方向。在一实施例中，第二支撑层的正投影位于相邻的微型半导体元件的正投影之间。在一实施例中，第一支撑层于基板上的正投影与电极于基板上的正投影不重叠。在一实施例中，第一支撑层与电极不接触。在一实施例中，第一支撑层的宽度与第一区域的宽度的比值为小于或等于1且大于或等于0.1。在一实施例中，第二支撑层与电极不接触。