[发明专利]检测集成电路的衬底经由其背面的可能减薄的方法、以及相关联的器件

说明书

半导体衬底包括掩埋半导体层和半导体阱。一种用于检测半导体衬底经由其背面的可能减薄的器件被形成在半导体阱上和半导体阱中。该器件是包括输入端子和输出端子的非反相缓冲器，该器件在供应端子与参考端子之间被供电，其中掩埋半导体层提供供应端子。控制电路向输入端子递送处于第一状态的输入信号，并且如果响应于输入信号处于与第一状态不同的第二状态，信号在输出端子处被生成，则输出指示检测到衬底的减薄的控制信号。

优先权声明

本申请要求2017年12月5日提交的法国专利申请No.1761625的优先权权益，该专利申请的内容据此在法律允许的最大范围内以其整体通过引用被并入。

技术领域

实施方式和实施例的模式涉及集成电路，并且更特别地涉及检测集成电路的衬底从其背面的可能减薄。

背景技术

集成电路，特别是被提供有包含敏感信息的存储器的那些集成电路，必须尽可能地受保护而免于攻击，特别是旨在揭露所存储的数据的那些攻击。

可能的攻击可以使用激光束经由集成电路的背面而被执行。

当集成电路的衬底被攻击者从其背面减薄，诸如，以尽可能地接近集成电路的被制造在其正面的组件时，这种攻击的有效性提高。集成电路的背面的减薄可以例如使用聚焦离子束(FIB)和/或使用抛光/磨损步骤而发生。

存在这样的手段，其使得有可能检测衬底经由其背面的减薄。然而，这些手段有时具有低集成水平，并且有时可能扰乱位于附近的组件的操作。

这些已有的手段可以例如使用随着衬底的减薄而变化的电阻。然而，这种类型的解决方案可能是错误的来源，特别是对于具有可变温度的集成电路，即使当不存在减薄时其也改变电阻值。

此外，已有器件有可能在检测之前被攻击者修改，诸如以篡改其结果，例如通过强制输出信号到指示检测不存在的状态。

因此，根据实施例，提出了一种方法和器件，其使得有可能可靠地检测衬底经由其背面的减薄，该器件具有减少的空间要求。

发明内容

根据一个方面，提出了一种包括半导体衬底的集成电路，被制造在掩埋半导体层之上并且包括被配置为接收供应电压的供应端子和被配置为接收参考电压的参考端子；以及用于检测衬底经由其背面的可能减薄的至少一个器件，该至少一个器件包括：非反相缓冲器，非反相缓冲器包括第一MOS晶体管和第二MOS晶体管，第一MOS晶体管和第二MOS晶体管是互补的并且串联耦合在供应端子与参考端子之间；包括两个晶体管共同的电极的输出端子和输入端子；包括供应端子的掩埋半导体层，该集成电路包括控制电路，控制电路被配置为生成处于第一状态的输入信号，在处于第一状态的输入信号存在并且在衬底的减薄不存在的情况下，非反相缓冲器适于变换到第一配置，在第一配置中，第一晶体管被配置为授权具有第一状态的输出信号在输出端子上的递送，并且在第一配置中，第二晶体管被关断，并且控制电路此外被配置为如果输出端子上的信号处于与第一状态不同的状态，则生成与衬底的减薄相对应的控制信号。

在衬底减薄的情况下，包括供应端子的半导体层被破坏并且非反相缓冲器不再由供应电压供电。

在其输入端子上的高状态的传输期间，它可能不再在其输出端子上传输高状态，因为该高状态常规地与输出端子到供应端子的电耦合相对应。

非反相缓冲器的使用，使得有可能具有包括简单部件的检测器件并且具有减少的空间要求。

根据实施例，控制电路可以被配置为递送处于第二状态的输入信号，在处于其第二状态的输入信号存在的情况下，非反相缓冲器然后适于变换到器件的第二配置，在该配置中，第一晶体管授权具有第二状态的信号在输出端子上的递送，以及如果由输出端子递送的信号处于第一状态，则用于生成第二控制信号。

因此，该器件可以被配置为通过非反相缓冲器来验证低状态的正确传输。