[发明专利]有机发光二极管显示面板及其制造方法有效
申请号: | 201811476226.3 | 申请日: | 2018-12-04 |
公开(公告)号: | CN109659336B | 公开(公告)日: | 2021-05-07 |
发明(设计)人: | 杨路路;李发顺 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示 面板 及其 制造 方法 | ||
1.一种有机发光二极管显示面板,其特征在于:所述有机发光二极管显示面板包括:
薄膜晶体管基板,所述薄膜晶体管基板上包括显示部、在所述显示部外缘向下延伸的连接部及在所述连接外缘向外延伸形成有结合部,所述连接部使所述显示部高出所述结合部,所述显示部、位于所述显示部下方的大致垂直延伸的所述连接部、以及进一步大致水平延伸的所述结合部共同构成一Z形挠性缓冲结构;
发光功能层设置在所述薄膜晶体管基板上;
封装层,设置在所述发光功能层上;
有机层,设置在所述封装层中。
2.如权利要求1所述的有机发光二极管显示面板,其特征在于:所述薄膜晶体管基板底面形成有介于所述显示部与所述连接部之间的容置空间。
3.如权利要求1所述的有机发光二极管显示面板,其特征在于:所述薄膜晶体管基板的所述显示部是位于所述有机发光二极管显示面板的显示有效区。
4.如权利要求1所述的有机发光二极管显示面板,其特征在于:所述薄膜晶体管基板的所述结合部是位于所述有机发光二极管显示面板的显示无效区。
5.一种有机发光二极管显示面板制造方法,其特征在于,所述制造方法包括:
支撑基板提供步骤,包括提供支撑基板,其中所述支撑基板包括显示有效区及设置在所述显示有效区两侧的边缘区,在所述支撑基板的中间区设置缓冲部;薄膜晶体管基板设置步骤,包括在所述支撑基板上设置有薄膜晶体管基板,其中在所述薄膜晶体管基板上形成有显示部,且所述显示部位于所述缓冲部上方且不结合所述支撑基板,在所述显示部外缘向下延伸形成有连接部,在所述连接外缘向外延伸形成有结合部,所述结合部结合在支撑基板上,所述显示部、位于所述显示部下方的大致垂直延伸的所述连接部、以及进一步大致水平延伸的所述结合部共同构成一Z形挠性缓冲结构;
发光功能层设置步骤,包括设置发光功能层在所述薄膜晶体管基板上;
封装层设置步骤,包括设置封装层在所述发光功能层上;
有机层设置步骤,包括设置有机层在所述封装层中;以及
分离步骤,包括以物理或化学方式将所述薄膜晶体管基板、所述发光功能层、所述封装层设置步骤、及所述有机层自所述支撑基板上分离。
6.如权利要求5所述的有机发光二极管显示面板制造方法,其特征在于:所述薄膜晶体管基板底面形成有介于所述显示部与所述连接部之间的容置空间,所述容置空间容纳所述缓冲部。
7.如权利要求5所述的有机发光二极管显示面板制造方法,其特征在于:所述缓冲部具有多个缓冲元件,所述多个缓冲元件设置在所述支撑基板顶面且接触所述薄膜晶体管基板的所述显示部。
8.如权利要求5所述的有机发光二极管显示面板制造方法,其特征在于:所述薄膜晶体管基板的所述显示部是位于所述有机发光二极管显示面板的显示有效区,所述支撑基板的所述缓冲部是位于所述显示有效区。
9.如权利要求5所述的有机发光二极管显示面板制造方法,其特征在于:所述薄膜晶体管基板的所述结合部是位于所述有机发光二极管显示面板的显示无效区。
10.如权利要求9所述的有机发光二极管显示面板制造方法,其特征在于:在所述分离步骤前还包括一切断步骤,以将位于所述显示无效区的所述结合部自所述有机发光二极管显示面板上切断分离。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的