[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底；

鳍部，凸出于所述衬底表面；

横跨所述鳍部的栅极结构，所述栅极结构覆盖所述鳍部的部分顶部和部分侧壁；

源漏掺杂层，位于所述栅极结构两侧的鳍部内，所述源漏掺杂层包括底部源漏掺杂层和所述底部源漏掺杂层上的顶部源漏掺杂层，且所述顶部源漏掺杂层的宽度大于所述底部源漏掺杂层的宽度；

侧壁层，覆盖所述源漏掺杂层的侧壁，所述侧壁层包括覆盖于所述底部源漏掺杂层侧壁的底部侧壁层、以及覆盖于所述顶部源漏掺杂层侧壁的顶部侧壁层，沿垂直于所述源漏掺杂层侧壁的方向，所述底部侧壁层的厚度大于所述顶部侧壁层的厚度，所述底部侧壁层和顶部侧壁层的外侧壁相齐平。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述底部侧壁层与所述顶部侧壁层的厚度差为1.5nm至3nm。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述侧壁层的材料为氮化硅、碳氮化硅、碳氮化硅硼或碳氮氧化硅。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：隔离层，位于所述鳍部露出的衬底上且覆盖所述鳍部的部分侧壁；

所述侧壁层还位于所述隔离层上。