[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201811481828.8 | 申请日： | 2018-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN110323278A | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 张钧博;李振铭;杨复凯;王美匀;李威养;徐梓翔 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 鳍状结构 间隔物 外延层 薄层 半导体装置 间隔物设置 第一侧壁 隔离结构 侧边 半导体材料 横向突出部 第二侧壁 两侧壁 对称 生长 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置，包括：
一薄层，包含有半导体材料且上述薄层包括一向外突出的鳍状结构；
一隔离结构，设置于上述薄层上方，但不在上述鳍状结构上方；
一第一间隔物及一第二间隔物，设置于上述隔离结构上方及上述鳍状结构的相对的两侧壁上，其中上述第一间隔物设置于上述鳍状结构的一第一侧壁上，上述第二间隔物设置于上述鳍状结构相对于上述第一侧壁的一第二侧壁上，且上述第二间隔物大抵上高于上述第一间隔物；以及
一外延层，生长于上述鳍状结构上，上述外延层横向突出，其中上述外延层的一横向突出部相对于一第一侧边及一第二侧边是非对称的。
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