[发明专利]半导体装置

说明书

一种半导体装置包括一薄层，包含有半导体材料且上述薄层包括向外突出的鳍状结构。一隔离结构，设置于上述薄层上方，但不在鳍状结构上方。第一间隔物及第二间隔物，设置于隔离结构上方及鳍状结构的相对的两侧壁上。第一间隔物设置于鳍状结构的第一侧壁上。第二间隔物设置于鳍状结构相对于第一侧壁的第二侧壁上。且第二间隔物大抵上高于第一间隔物。一外延层生长于鳍状结构上。上述外延层横向突出。外延层的横向突出部相对于第一侧边及第二侧边是非对称的。

技术领域

本公开涉及一种半导体装置及其制造方法，特别涉及鳍式晶体管的半导体装置及其制造方法。

背景技术

于深度次微米集成电路技术中，嵌入式静态存取存储器(static random-accessmemory,SRAM)装置已成为高速通信、影像处理以及系统单芯片(system-on-chip,SOC)产品的流行存储单元。微处理器及SOC中嵌入式SRAM的数量不停增加，以满足每一代新技术的性能要求。当硅技术随着一代至下一代持续微缩尺寸，最小几何尺寸总体平面晶体管(bulkplanar transistors)中的本质临界电压(intrinsic threshold voltage,intrinsic Vt)变化的影响降低了互补式金属氧化物半导体(complimentary metal-oxide-semiconductor,CMOS)SRAM单元静态噪声边限(static noise margin,SNM)。这种由越来越小的晶体管几何形状引起的SNM的降低是不被期望出现的。当电源电压(例如：Vcc)缩小至更低的电压时，SNM会更进一步的降低。

为了解决SRAM议题及改善单元微缩能力，鳍式场效晶体管(fin field effecttransistor,FinFET)装置常被考虑用于某些应用。FinFET同时提供速度及装置稳定性。FinFET具有与顶部表面及相对的两侧壁相关的通道(被称为鳍通道)。可自附加侧壁装置宽度(离子性能)及较好的短通道控制(次临界漏电)获得益处。因此，FinFETs被期望于栅极长度微缩及本质V_t波动方面具有优势。然而，现存的FinFET SRAM仍然具有缺点，举例来说，不欲获得的源极/漏极外延层合并或金属接点着陆(metal contact landing)问题所致的缺点。当这些问题发生时，FinFET SRAM性能及/或可靠度可能会降低。

因此，虽然现存的FinFET SRAM通常已可满足其预期目的，但他们并非在每个方面都完全令人满意。

发明内容

本公开实施例提供一种半导体装置。此半导体装置包括：一薄层(layer)，包含有半导体材料且上述薄层包括向外突出的鳍状结构；一隔离结构，设置于上述薄层上方，但不在鳍状结构上方；第一间隔物及第二间隔物，设置于隔离结构上方及鳍状结构的相对的两侧壁上，其中第一间隔物设置于鳍状结构的第一侧壁上，第二间隔物设置于鳍状结构相对于第一侧壁的第二侧壁上，且第二间隔物大抵上高于第一间隔物；以及外延层，生长于鳍状结构上，其中外延层横向突出，外延层的横向突出部相对于第一侧边及第二侧边是非对称的。

本公开实施例提供一种半导体装置。此半导体装置包括：一薄层，包含有半导体材料，其中上述薄层包括一第一鳍状结构及一第二鳍状结构，上述第一鳍状结构及上述第二鳍状结构各自垂直向上突出；一介电结构，位于上述薄层上方，其中介电结构的一部分位于第一鳍状结构及第二鳍状结构之间；第一外延层，外延生长于第一鳍状结构上；以及第二外延层，外延生长于第二鳍状结构上，其中第二外延层与第一外延层间有所间隔，且第一外延层以远离第二外延层的第一方向横向突出，第二外延层则以远离第一外延层的第二方向横向突出，其中第二方向与第一方向相反。