[发明专利]紫外发光装置

权利要求书

1.一种紫外发光装置，包括：

第一导电类型AlGaN半导体层；

有源层，其设置在所述第一导电类型AlGaN半导体层上并且具有AlGaN半导体；

第二导电类型AlGaN半导体层，其设置在所述有源层上，并且具有被划分为第一区域和第二区域的上表面；

第二导电类型氮化物图案，其设置在所述第二导电类型AlGaN半导体层的所述第一区域上，并且所述第二导电类型氮化物图案的能带隙小于所述第二导电类型AlGaN半导体层的能带隙；

透明电极层，其覆盖所述第二导电类型氮化物图案和所述第二导电类型AlGaN半导体层的所述第二区域；

透光介电层，其设置在所述第二导电类型氮化物图案之间的透明电极层上；以及

金属电极，其设置在覆于所述第二导电类型氮化物图案上的所述透明电极层上以及所述透光介电层上。

2.根据权利要求1所述的紫外发光装置，其中所述有源层被形成为使得由Al_x1Ga_1-x1N形成的多个量子阱层和由Al_x2Ga_1-x2N形成的多个量子势垒层交替堆叠，其中0＜x1＜1，x1＜x2＜1。

3.根据权利要求1所述的紫外发光装置，其中所述第一导电类型AlGaN半导体层和所述第二导电类型AlGaN半导体层中的至少一个的能带隙大于所述有源层的AlGaN半导体的能带隙。

4.根据权利要求1所述的紫外发光装置，其中所述有源层构造为发射波长为210nm至315nm的光。

5.根据权利要求1所述的紫外发光装置，还包括设置在所述第二导电类型AlGaN半导体层和所述有源层之间的电子阻挡层，所述电子阻挡层由Al组分比大于所述第二导电类型AlGaN半导体层的Al组分比的AlGaN半导体形成。

6.根据权利要求1所述的紫外发光装置，其中所述第二导电类型氮化物图案包括第二导电类型GaN。

7.根据权利要求1所述的紫外发光装置，其中所述透明电极层包括ITO、ZITO、ZIO、GIO、ZTO、FTO、AZO、GZO、In₄Sn₃O₁₂或Zn_(1-x)Mg_xO，其中0≤x≤1。

8.根据权利要求1所述的紫外发光装置，其中：

所述透明电极层包括ITO，并且

所述透明电极层的厚度为1nm至50nm。

9.根据权利要求1所述的紫外发光装置，其中所述透光介电层包括SiO₂、SiN、TiO₂、HfO或MgF₂。

10.根据权利要求1所述的紫外发光装置，其中所述金属电极包括Al、Rh或Ru。

11.根据权利要求1所述的紫外发光装置，其中所述透光介电层和所述金属电极构成全向反射器。