[发明专利]紫外发光装置

说明书

一种紫外发光装置，包括：第一导电类型AlGaN半导体层；有源层，其设置在所述第一导电类型AlGaN半导体层上并且具有AlGaN半导体；第二导电类型AlGaN半导体层，其设置在所述有源层上，并且具有被划分为第一区域和第二区域的上表面；第二导电类型氮化物图案，其设置在所述第二导电类型AlGaN半导体层的第一区域上，并且所述第二导电类型氮化物图案的能带隙小于所述第二导电类型AlGaN半导体层的能带隙；透明电极层，其覆盖所述第二导电类型氮化物图案和所述第二导电类型AlGaN半导体层的第二区域；透光介电层，其设置在所述第二导电类型氮化物图案之间的透明电极层上；以及金属电极，其设置在覆于所述第二导电类型氮化物图案上的透明电极层上以及所述透光介电层上。

相关申请的交叉引用

于2017年12月19日向韩国知识产权局提交的标题为“紫外发光装置”的韩国专利申请No.10-2017-0175149通过引用整体并入本文。

技术领域

实施例涉及紫外发光装置。

背景技术

近来，紫外光源已经用于诸如灭菌器、消毒装置、UV固化装置等装置中以用于各种目的。作为紫外光源，具有高效特性的环境友好型半导体发光二极管(LED)受到了相当多的关注。例如，已经考虑了氮化物半导体发光二极管。

发明内容

可以通过提供这样一种紫外发光装置来实现实施例，该紫外发光装置包括：第一导电类型AlGaN半导体层；有源层，其设置在所述第一导电类型AlGaN半导体层上并且具有AlGaN半导体；第二导电类型AlGaN半导体层，其设置在所述有源层上，并且具有被划分为第一区域和第二区域的上表面；第二导电类型氮化物图案，其设置在所述第二导电类型AlGaN半导体层的所述第一区域上，并且所述第二导电类型氮化物图案的能带隙小于所述第二导电类型AlGaN半导体层的能带隙；透明电极层，其覆盖所述第二导电类型氮化物图案和所述第二导电类型AlGaN半导体层的所述第二区域；透光介电层，其设置在所述第二导电类型氮化物图案之间的所述透明电极层上；以及金属电极，其设置在覆于所述第二导电类型氮化物图案上的所述透明电极层上以及所述透光介电层上。

可以通过提供这样一种紫外发光装置来实现实施例，该紫外发光装置包括：发光叠层，所述发光叠层包括：包括Al_x1Ga_1-x1N半导体的第一导电类型半导体层，其中0＜x1＜1，包括Al_x2Ga_1-x2N半导体的第二导电类型半导体层，其中0＜x2＜1，以及设置在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间并且包括Al_x3Ga_1-x3N半导体的有源层，其中0＜x3＜x1并且0＜x3＜x2；第二导电类型氮化物图案，其部分地设置在所述第二导电类型半导体层上并且包括Al_x4Ga_1-x4N半导体，其中0＜x4＜x2；透明电极层，其设置在所述第二导电类型氮化物图案的上表面上；透光介电层，其设置在处于所述第二导电类型氮化物图案之间的所述第二导电类型半导体层的区域上；以及金属电极，其设置在所述透明电极层和所述透光介电层上。

可以通过提供这样一种紫外发光装置来实现实施例，该紫外发光装置包括：第一导电类型AlGaN半导体层；有源层，其设置在所述第一导电类型AlGaN半导体层上并且具有AlGaN半导体；第二导电类型AlGaN半导体层，其设置在所述有源层上并且具有被划分为第一区域和第二区域的上表面；第二导电类型氮化物图案，其部分地形成在所述第二导电类型AlGaN半导体层上并且包括GaN半导体；ITO层，其至少设置在所述第二导电类型氮化物图案的上表面上；透光介电层，其设置在处于所述第二导电类型氮化物图案之间的所述第二导电类型半导体层上；以及金属电极，其设置在覆于所述第二导电类型氮化物图案上的ITO层的区域上以及所述透光介电层上。

附图说明

通过参考附图详细描述示例性实施例，特征对于本领域技术人员将是显而易见的，在附图中：