[发明专利]半导体存储器件

权利要求书

1.一种半导体存储器件，包括：

多个存储单元；以及

字线，耦合至所述多个存储单元，

其中所述字线在第一方向上延伸，并且

其中所述多个存储单元中的每个存储单元均包括沿与所述第一方向相交的第二方向延伸的栅电极。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，还包括耦合至所述存储单元的多条位线，

其中所述位线在所述第二方向上延伸。

3.根据权利要求2所述的半导体存储器件，

其中所述栅电极包括第一栅电极、第二栅电极、第三栅电极和第四栅电极，

其中所述第一栅电极、所述第二栅电极、所述第三栅电极和所述第四栅电极被设置为相互分离并且以无弯曲的线性形式形成，

其中所述第一栅电极和所述第三栅电极被布置为在所述第一方向上平行延伸，

其中所述第一栅电极和所述第四栅电极被线性地布置在所述第二方向上，并且

其中所述第三栅电极和所述第二栅电极被线性地布置在所述第二方向上。

4.根据权利要求3所述的半导体存储器件，

其中所述存储单元中的每个存储单元均在所述第二方向上具有细长的矩形图案，并且

其中所述第一栅电极、所述第二栅电极、所述第三栅电极和所述第四栅电极以所述细长的矩形图案来布置。

5.根据权利要求4所述的半导体存储器件，其中所述存储单元中的每个存储单元均是包括六个MOS晶体管的静态型存储单元。

6.根据权利要求2所述的半导体存储器件，其中在所述存储单元中的每个存储单元中，对应于一个存储单元的所述字线的长度短于对应于一个存储单元的所述位线的长度。

7.一种半导体存储器件，包括：

多个存储单元；

字线，耦合至所述存储单元；以及

多条位线，耦合至所述存储单元，

其中所述字线被布置为在第一方向上延伸，

其中所述多条位线被布置为在与所述第一方向相交的第二方向上延伸，

其中所述存储单元中的每个存储单元均包括在所述第二方向上延伸的多个栅电极，

其中所述存储单元中的每个存储单元均包括六个MOS晶体管，并且

其中所述六个MOS晶体管中的两个晶体管被布置为在所述第一方向上彼此相邻。

8.根据权利要求7所述的半导体存储器件，

其中所述存储单元在所述第一方向上延伸，并且

其中在所述第一方向上延伸的所述存储单元中，被布置为彼此相邻的两个存储单元共享所述多条位线中的一条位线。

9.根据权利要求7所述的半导体存储器件，

其中所述栅电极包括第一栅电极、第二栅电极、第三栅电极和第四栅电极，

其中所述第一栅电极、所述第二栅电极、所述第三栅电极和所述第四栅电极被设置为相互分离并且以无弯曲的线性形式形成，

其中所述第一栅电极和所述第三栅电极被布置为在所述第一方向上平行地竖直延伸，

其中所述第一栅电极和所述第四栅电极被线性地布置在所述第二方向上，并且

其中所述第三栅电极和所述第二栅电极被线性地布置在所述第二方向上。

10.根据权利要求9所述的半导体存储器件，

其中所述六个MOS晶体管包括第一P沟道MOS晶体管和第二P沟道MOS晶体管以及第一N沟道MOS晶体管、第二N沟道MOS晶体管、第三N沟道MOS晶体管和第四N沟道MOS晶体管，

其中所述第一栅电极被配置为所述第一N沟道MOS晶体管的栅极，

其中所述第二栅电极被配置为所述第二N沟道MOS晶体管的栅极，

其中所述第三栅电极被配置为所述第一P沟道MOS晶体管的栅极和所述第三N沟道MOS晶体管的栅极，并且

其中所述第四栅电极被配置为所述第二P沟道MOS晶体管的栅极和所述第四N沟道MOS晶体管的栅极。