[发明专利]陶瓷材料制品镭射加工工艺及陶瓷材料制品和电子设备

权利要求书

1.一种陶瓷材料制品镭射加工工艺，其特征在于，包括如下步骤：

提供陶瓷材料制品，采用激光镭射对陶瓷材料制品表面进行镭雕以在陶瓷材料制品表面形成标记，其中，所述激光为绿色激光，所述绿色激光的波长为526-606nm，优选为530-535nm。

2.根据权利要求1所述的陶瓷材料制品镭射加工工艺，其特征在于，镭雕时的环境温度为10-35℃，环境湿度为10-80％；

优选地，镭雕时的环境温度为20-25℃，环境湿度为20-40％。

3.根据权利要求1所述的陶瓷材料制品镭射加工工艺，其特征在于，先将陶瓷材料制品进行磨平和抛光后再进行镭雕。

4.根据权利要求1所述的陶瓷材料制品镭射加工工艺，其特征在于，所述标记为多个，相邻标记之间的间距为0.4-0.6mm，优选为0.5mm。

5.根据权利要求1-4任一项所述的陶瓷材料制品镭射加工工艺，其特征在于，采用绿光激光镭雕机进行镭雕，所述绿光激光镭雕机设置有第一图层和第二图层，所述第一图层的镭雕速度为1000-1300nm，镭雕频率为15-17Hz；所述第二图层的镭雕速度为180-220nm，镭雕频率为15-17Hz；

优选地，所述第一图层的镭雕速度为1200nm，镭雕频率为16Hz；所述第二图层的镭雕速度为200nm，镭雕频率为16Hz；

优选地，所述第一图层的镭雕电流为18-24A，优选为21A；

优选地，所述第二图层的镭雕电流为18-24A，优选为21A。

6.根据权利要求5所述的陶瓷材料制品镭射加工工艺，其特征在于，所述第一图层的边距为0.004-0.006mm，环间距为0.004-0.006mm，线间距为0.004-0.006mm；所述第二图层的边距为0.004-0.006mm，环间距为0.004-0.006mm，线间距为0.004-0.006mm；

优选地，所述第一图层的边距为0.005mm，环间距为0.005mm，线间距为0.005mm；所述第二图层的边距为0.05mm，环间距为0.005mm，线间距为0.005mm。

7.根据权利要求5所述的陶瓷材料制品镭射加工工艺，其特征在于，所述第一图层的开光延时为80-120μs，关光时间为80-120μs，结束延时为150-200μs，拐角延时为15-25μs；所述第二图层的开光延时为100-150μs，关光时间为100-150μs，结束延时为80-120μs，拐角延时为25-35μs；

优选地，所述第一图层的开光延时为100μs，关光时间为100μs，结束延时为150μs，拐角延时为20μs；所述第二图层的开光延时为120μs，关光时间为130μs，结束延时为100μs，拐角延时为30μs。

8.根据权利要求5所述的陶瓷材料制品镭射加工工艺，其特征在于，所述第一图层的Q脉宽度为24-28μs，焦距为20-25mm；所述第二图层的Q脉宽度为24-28μs，焦距为20-25mm；

优选地，第一图层的Q脉宽度为26μs，焦距为22mm；所述第二图层的Q脉宽度为26μs，焦距为22mm。

9.一种陶瓷材料制品，其特征在于，采用权利要求1-8任一项所述的陶瓷材料制品镭射加工工艺加工而成。

10.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求9所述的陶瓷材料制品。