[发明专利]陶瓷材料制品镭射加工工艺及陶瓷材料制品和电子设备

说明书

本发明提供了一种陶瓷材料制品镭射加工工艺及陶瓷材料制品和电子设备，涉及陶瓷材料制品加工技术领域，所述加工工艺包括如下步骤：提供陶瓷材料制品，采用激光镭射对陶瓷材料制品表面进行镭雕以在陶瓷材料制品表面形成标记，其中，所述激光为绿色激光，波长为526－606nm，缓解了采用紫外激光镭射的方法加工陶瓷材料制品，还需要复火工艺恢复陶瓷材料制品颜色，不仅工艺繁琐，而且会降低产品强度，本发明提供的陶瓷材料制品镭射加工工艺，采用绿色激光进行镭雕形成标记，不会造成陶瓷制品表面碳化，从而无需进行复火工艺，即可保持陶瓷制品表面颜色的一致性，从而简化了工艺，保证了产品强度，提高了产品良率。

技术领域

本发明涉及陶瓷材料制品加工技术领域，尤其是涉及一种陶瓷材料制品镭射加工工艺及陶瓷材料制品和电子设备。

背景技术

近年来，陶瓷材料制品在手机、手表等行业中应用越来越广泛，传统的陶瓷制品通过紫外激光镭射的方法在表面灼烧碳化形成标记后再通过复火工艺，恢复陶瓷材料制品表面的色泽，然而复火工艺会导致陶瓷材料产品内部结构发生变化，不仅使得产品强度降低，产品良率下降，而且工艺繁琐，浪费了大量的人力和物力。

因此，本领域技术人员亟需研制一种新的陶瓷材料制品加工工艺，以在保证陶瓷材料制品强度的同时简化工艺，节约人力和物力。

有鉴于此，特提出本发明。

发明内容

本发明的目的之一在于提供一种陶瓷材料制品镭射加工工艺，以缓解了现有采用紫外激光镭射的方法加工陶瓷材料制品后，还需要采用复火工艺恢复陶瓷材料制品颜色，然而复火工艺会导致陶瓷材料产品内部结构发生变化，不仅工艺繁琐，而且会导致陶瓷材料制品强度降低，产品良率下降的技术问题。

本发明提供的陶瓷材料制品镭射加工工艺，包括如下步骤：

提供陶瓷材料制品，采用激光镭射对陶瓷材料制品表面进行镭雕以在陶瓷材料制品表面形成标记，其中，所述激光为绿色激光，所述绿色激光的波长为526-606nm，优选为530-535nm。

进一步的，镭雕时的环境温度为10-35℃，环境湿度为10-80％；

优选地，镭雕时的环境温度为20-25℃，环境湿度为20-40％。

进一步的，先将陶瓷材料制品进行磨平和抛光后再进行镭雕。

进一步的，所述标记为多个，所述相邻标记之间的间距为0.4-0.6mm，优选为0.5mm。

进一步的，采用绿光激光镭雕机进行镭雕，所述绿光激光镭雕机设置有第一图层和第二图层，所述第一图层的镭雕速度为1000-1300nm，镭雕频率为15-17Hz；所述第二图层的镭雕速度为180-220nm，镭雕频率为15-17Hz；

优选地，所述第一图层的镭雕速度为1200nm，镭雕频率为16Hz；所述第二图层的镭雕速度为200nm，镭雕频率为16Hz；

优选地，所述第一图层的镭雕电流为18-24A，优选为21A；

优选地，所述第二图层的镭雕电流为18-24A，优选为21A。

进一步的，所述第一图层的边距为0.004-0.006mm，环间距为0.004-0.006mm，线间距为0.004-0.006mm；所述第二图层的边距为0.004-0.006mm，环间距为0.004-0.006mm，线间距为0.004-0.006mm；

优选地，所述第一图层的边距为0.005mm，环间距为0.005mm，线间距为0.005mm；所述第二图层的边距为0.05mm，环间距为0.005mm，线间距为0.005mm。