[发明专利]钨特征填充有效
| 申请号： | 201811491805.5 | 申请日： | 2013-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN110004429B | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | 阿南德·查德拉什卡;爱思特·杰恩;拉什纳·胡马雍;迈克尔·达内克;高举文;王德齐 | 申请（专利权）人： | 诺发系统公司 |
| 主分类号： | C23C16/04 | 分类号： | C23C16/04;H01L21/285;H01L21/768;H01L27/105;H01L27/108;H01L21/321;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;张静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 特征 填充 | ||
1.一种填充特征的方法，其包括：
提供包括特征的衬底，所述特征具有一个或多个特征开口、特征侧壁和特征内部；
在所述特征内保形地沉积硼层；
将所述硼层的一部分转变成钨，在所述特征内留下剩余的硼层；并且
蚀刻所述特征中的所述钨的一部分而不蚀刻所述剩余的硼层。
2.根据权利要求1所述的填充特征的方法，还包括将所述剩余的硼层转变为钨。
3.根据权利要求1所述的填充特征的方法，其中，所述硼层被沉积为大于10nm的厚度。
4.根据权利要求1所述的填充特征的方法，其中转变所述硼层的所述部分包括使钨前驱物与所述硼层的所述部分反应。
5.根据权利要求1所述的填充特征的方法，其中，所述硼层被转变为10nm或更小的厚度。
6.根据权利要求1所述的填充特征的方法，其中蚀刻所述特征中的所述钨的一部分包括将所述特征暴露于由NF 3产生的等离子体。
7.根据权利要求1所述的填充特征的方法，其中蚀刻所述特征中的所述钨的一部分包括将所述特征暴露于基于F的等离子体。
8.一种填充特征的方法，包括：
提供包括特征的衬底，所述特征具有一个或多个特征开口、特征侧壁和特征内部；
在所述特征中保形地沉积硼层，该硼层具有至少1.5nm的厚度；
将硼层特征的整个厚度转变为钨；和
重复保形沉积和转变操作一次或多次以部分或全部用钨填充所述特征。
9.根据权利要求8所述的填充特征的方法，其中，所述硼层的厚度不超过100nm。
10.根据权利要求8所述的填充特征的方法，其中，所述硼层的厚度为至少3nm。
11.根据权利要求8所述的填充特征的方法，其中，所述硼层的厚度为至少5nm。
12.根据权利要求8所述的填充特征的方法，其中，所述转变操作包括所述特征中的材料的体积膨胀。
13.根据权利要求8所述的填充特征的方法，其中保形地沉积所述硼层包括对含硼化合物进行热分解。
14.根据权利要求8所述的填充特征的方法，其中所述转变在至少300℃且至多400℃的温度和40Torr的压力下发生，并且其中所述硼层的厚度不超过10nm。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
