[发明专利]去除TEL SCCM装置表面刻蚀薄膜的清洗方法在审
| 申请号： | 201811492883.7 | 申请日： | 2018-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN109727845A | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 穆帅帅;贺贤汉 | 申请（专利权）人： | 富乐德科技发展（天津）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 天津市尚仪知识产权代理事务所(普通合伙) 12217 | 代理人： | 高正方 |
| 地址： | 301712 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 处理容器 刻蚀薄膜 装置表面 置入 清洗 去除 预处理 氢氟酸溶液 预处理容器 浸入 第二容器 第三容器 氢氟酸 重量比 烘干 附着 刻蚀 料板 预浸 遗留 加工 | ||
【权利要求书】：
1.一种去除TEL SCCM装置表面刻蚀薄膜的清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：
A、将TEL SCCM装置浸入装有纯水的预处理容器中，预浸1-5min；
B、将预处理后的TEL SCCM装置置入第一处理容器中处理2-10min，第一处理容器中装有氢氟酸溶液，其中按重量比，氢氟酸与纯水之间的比值为1：4-1：6；
C、将TEL SCCM装置置入第二处理容器中处理5-20s，第二容器中装有纯水；
D、将TEL SCCM装置置入第三处理容器中处理30-60s，第三容器中装有纯水；
E、在60℃下烘干2-10min。
2.根据权利要求1所述的去除TEL SCCM装置表面刻蚀薄膜的清洗方法，其特征在于：按重量比氢氟酸与纯水之间的比值为1：5。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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