[发明专利]去除TEL SCCM装置表面刻蚀薄膜的清洗方法

说明书

一种去除TEL SCCM装置表面刻蚀薄膜的清洗方法，包括以下步骤：将TEL SCCM装置浸入装有纯水的预处理容器中，预浸1‑5min；将预处理后的TEL SCCM装置置入第一处理容器中处理2‑10min，第一处理容器中装有氢氟酸溶液，其中按重量比，氢氟酸与纯水之间的比值为1：4‑1：6；将TEL SCCM装置置入第二处理容器中处理5‑20s，第二容器中装有纯水；将TEL SCCM装置置入第三处理容器中处理30‑60s，第三容器中装有纯水；在60℃下烘干2‑10min。将附着于TEL SCCM装置表面遗留的刻蚀薄膜有效清除，本发明的清洗方法技术简单、易于实施，刻蚀薄膜清除后有利于后续料板的刻蚀加工。

技术领域

本发明涉及半导体制造的技术领域，具体说是一种去除TEL SCCM装置表面刻蚀薄膜的清洗方法。

背景技术

刻蚀技术（etching technique），是在半导体工艺，按照掩模图形或设计要求对半导体衬底表面或表面覆盖薄膜进行选择性腐蚀或剥离的技术。刻蚀技术不仅是半导体器件和集成电路的基本制造工艺，而且还应用于薄膜电路、印刷电路和其他微细图形的加工。

刻蚀还可分为湿法刻蚀和干法刻蚀。TEL SCCM刻蚀属于干法刻蚀中的一种，在刻蚀完成后TEL SCCM装置表面往往会遗留刻蚀薄膜，这种刻蚀薄膜如不清除，在后续的加工中会影响刻蚀效果。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种去除TEL SCCM装置表面刻蚀薄膜的清洗方法。

本发明为解决公知技术中存在的技术问题所采取的技术方案是:

本发明的去除TEL SCCM装置表面刻蚀薄膜的清洗方法，包括以下步骤：

A、将TEL SCCM装置浸入装有纯水的预处理容器中，预浸1-5min；

B、将预处理后的TEL SCCM装置置入第一处理容器中处理2-10min，第一处理容器中装有氢氟酸溶液，其中按重量比，氢氟酸与纯水之间的比值为1：4-1：6；

C、将TEL SCCM装置置入第二处理容器中处理5-20s，第二容器中装有纯水；

D、将TEL SCCM装置置入第三处理容器中处理30-60s，第三容器中装有纯水；

E、在60℃下烘干2-10min。

本发明还可以采用以下技术措施：

按重量比氢氟酸与纯水之间的比值为1：5。

本发明具有的优点和积极效果是:

本发明的去除TEL SCCM装置表面刻蚀薄膜的清洗方法中，将TEL SCCM装置经过氢氟酸溶液的处理，将附着于TEL SCCM装置表面遗留的刻蚀薄膜有效清除，本发明的清洗方法技术简单、易于实施，刻蚀薄膜清除后有利于后续料板的刻蚀加工。

具体实施方式

以下通过具体实施例对本发明的技术方案进行详细说明。

实施例1：

本发明的去除TEL SCCM装置表面刻蚀薄膜的清洗方法，包括以下步骤：

A、将TEL SCCM装置浸入装有纯水的预处理容器中，预浸1min；

B、将预处理后的TEL SCCM装置置入第一处理容器中处理2min，第一处理容器中装有氢氟酸溶液，其中按重量比，氢氟酸与纯水之间的比值为1：4；

C、将TEL SCCM装置置入第二处理容器中处理5s，第二容器中装有纯水；

D、将TEL SCCM装置置入第三处理容器中处理30s，第三容器中装有纯水；