[发明专利]用于晶片级管芯桥的方法和设备

权利要求书

1.一种形成晶片级桥管芯的方法，包括：

形成重分布层(RDL)；和

将桥管芯附贴在所述RDL上，所述桥管芯在与所述RDL相对的暴露表面上具有电连接。

2.如权利要求1所述的方法，还包括：

在载体上形成所述RDL。

3.如权利要求1所述的方法，还包括：

使用所述桥管芯与所述RDL之间的粘合剂将所述桥管芯附贴在所述RDL上。

4.如权利要求1所述的方法，还包括：

在所述RDL上形成至少一个电互连件；

在所述桥管芯上形成至少一个电互连件；

在所述RDL和所述桥管芯上面形成第一模层；和

将多个管芯耦接到所述RDL并耦接到所述桥管芯，使得管芯电连接到所述RDL的至少一个电互连件并电连接到所述桥管芯的至少一个电互连件。

5.如权利要求4所述的方法，还包括：

在所述第一模层上和在所述多个管芯上形成第二模层。

6.如权利要求4所述的方法，还包括：

在所述第一模层上形成至少一个集成无源器件；和

在所述第一模层上、在所述多个管芯上和在所述至少一个集成无源器件上形成第二模层。

7.如权利要求4所述的方法，还包括：

使用铜基材料在所述RDL上形成至少一个电互连件或在所述桥管芯上形成至少一个电互连件。

8.如权利要求1所述的方法，还包括：

在所述RDL上形成至少一个电互连件；

在所述桥管芯上形成至少一个电互连件；

在所述RDL上形成至少一个穿模通孔(TMV)的至少一个第一部分；

在所述RDL和所述桥管芯上面形成第一模层；

形成所述至少一个TMV的至少一个第二部分；

将多个管芯耦接到所述RDL并耦接到所述桥管芯，使得管芯电连接到所述RDL的至少一个电互连件并电连接到所述桥管芯的至少一个电互连件；和

在所述第一模层上和在所述多个管芯上形成第二模层，所述至少一个TMV在所述第二模层的顶表面处具有电连接以用于支持封装层叠(PoP)电连接。

9.一种形成晶片级桥管芯的方法，包括：

暂时地将重分布层(RDL)接合在载体上；

将桥管芯附贴在所述RDL上，所述桥管芯在与所述RDL相对的暴露表面上具有电连接；

在所述RDL上形成至少一个电互连件；

在所述桥管芯的所述暴露表面上形成至少一个电互连件；

在所述RDL和所述桥管芯上形成第一模层；

将多个管芯耦接到所述RDL并耦接到所述桥管芯，使得管芯电连接到所述RDL的至少一个电互连件并电连接到所述桥管芯的至少一个电互连件；

在所述第一模层上和在所述多个管芯上形成第二模层；和

从所述RDL去除所述载体。

10.如权利要求9所述的方法，还包括：

形成从所述RDL到所述第二模层的顶表面的至少一个穿模通孔。

11.一种用于连接半导体器件的设备，包括：

重分布层(RDL)；

桥管芯；

粘合剂层，插置在所述RDL与所述桥管芯之间；

在所述RDL上的至少一个电互连件；

在所述桥管芯上的至少一个电互连件；和

在所述RDL和所述桥管芯上的第一模层；。

12.如权利要求11所述的设备，还包括：

多个管芯，耦接到所述RDL并耦接到所述桥管芯，使得管芯电连接到所述RDL的所述至少一个电互连件中的至少一个并电连接到所述桥管芯的所述至少一个电互连件中的至少一个；和

在所述第一模层上和在所述多个管芯上的第二模层。