[发明专利]基于等几何分析的浅浮雕模型建立方法有效
申请号: | 201811494117.4 | 申请日: | 2018-12-07 |
公开(公告)号: | CN109816793B | 公开(公告)日: | 2022-12-06 |
发明(设计)人: | 徐岗;凌成南;许金兰 | 申请(专利权)人: | 杭州电子科技大学 |
主分类号: | G06T17/30 | 分类号: | G06T17/30 |
代理公司: | 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人: | 黄前泽 |
地址: | 310018 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 几何 分析 浅浮雕 模型 建立 方法 | ||
1.基于等几何分析的浅浮雕模型建立方法,其特征在于:该方法具体如下:
步骤1、输入设计草图;
步骤2、应用最小二乘渐近迭代拟合算法对设计草图的封闭边界进行拟合,得到B样条曲线边界;
步骤3、对B样条曲线边界进行采样,并依次顺序连接各个采样点,形成多边形;应用区域剖分算法将多边形内部剖分成子区域集合D;
步骤4、对子区域集合D中的每个子区域单元进行Coons曲面插值,得到子区域单元的内部控制点,从而得到各个子区域单元对应的控制点个数为n*m的平面样条,将子区域集合D整合成平面样条集合K,其中n≥2,m≥2;
步骤5、利用等几何分析方法在平面样条集合K上求解带有齐次边界条件的泊松方程来获得基曲面;
步骤6、若设计草图无内部线条,则输出基曲面,否则继续如下步骤:将设计草图的内部线条采用所有子区域单元的内部控制点及边界控制点表达,并将与设计草图内部线条上每个点距离最近的一个控制点作为一个特征点,所有特征点的集合记为L;然后,利用等几何分析方法基于基曲面求解加入了特征线约束的泊松方程来获得浅浮雕模型。
2.根据权利要求1所述基于等几何分析的浅浮雕模型建立方法,其特征在于:步骤3中,子区域集合D中每个子区域单元的边界用四条样条曲线拟合。
3.根据权利要求1所述基于等几何分析的浅浮雕模型建立方法,其特征在于:步骤5中,基曲面上各个点的Z坐标计算如下:
为XOY平面上设计草图的封闭边界,S为基曲面上各个点的Z坐标,XYZ为笛卡尔空间坐标系;Δ为拉普拉斯算子;f为常数,且f>0。
4.根据权利要求1所述基于等几何分析的浅浮雕模型建立方法,其特征在于:步骤6中,浅浮雕模型上各个点的Z坐标计算如下:
其中,是浅浮雕模型上各个点的Z坐标;h是浮雕需要抬升的高度,是基曲面上需要抬升的点所在位置的法向量在Z轴上的投影。
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