[发明专利]半导体晶片的制造方法

权利要求书

1.半导体晶片的制造方法，其包括：半导体层形成步骤，在用于支承基板的半导体晶片的单面侧上形成半导体层；以及平坦化步骤，通过局部干式蚀刻法对前述半导体层的整面进行平坦化加工，该制造方法的特征在于，包括：

加工倾向获取步骤，求出使用局部干式蚀刻法的平坦化装置的加工倾向；

加工前膜厚分布测定步骤，测定前述半导体层的平坦化加工前的膜厚分布；

预想膜厚分布设定步骤，基于前述加工倾向和前述加工前膜厚分布，设定前述半导体层的预想膜厚分布；

目标蚀刻量分布设定步骤，基于平坦化加工后的前述半导体层的目标膜厚分布和前述预想膜厚分布而在前述平坦化装置中设定目标蚀刻量分布；和

平坦化步骤，基于前述设定的前述目标蚀刻量分布，通过前述平坦化装置对前述半导体层的整面进行局部干式蚀刻加工。

2.根据权利要求1所述的半导体晶片的制造方法，其中，在前述加工倾向获取步骤中，基于多枚样品半导体晶片的平坦化加工结果，求出前述加工倾向。

3.根据权利要求1或2所述的半导体晶片的制造方法，其还包括：薄膜化步骤，在前述半导体层形成步骤与前述平坦化步骤之间，对前述半导体层进行薄膜化。

4.根据权利要求1或2所述的半导体晶片的制造方法，其中，前述用于支承基板的半导体晶片为硅晶片，

前述半导体层形成步骤中，将前述硅晶片隔着绝缘膜而与前述半导体层贴合。

5.根据权利要求4所述的半导体晶片的制造方法，其中，前述半导体层为单晶硅层。