[发明专利]半导体存储器装置、存储装置及操作存储器控制器的方法有效
申请号: | 201811497053.3 | 申请日: | 2018-12-07 |
公开(公告)号: | CN110322919B | 公开(公告)日: | 2023-05-16 |
发明(设计)人: | 李炯珉 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C16/30 | 分类号: | G11C16/30;G11C16/10;G11C16/14 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 张晶;赵赫 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 存储器 装置 存储 操作 控制器 方法 | ||
1.一种操作存储器控制器的方法,所述方法操作所述存储器控制器以控制半导体存储器装置的操作,所述方法包括:
将第一读取命令传输至所述半导体存储器装置;以及
基于在所述第一读取命令之后等待传输的命令的类型来确定是否生成放电命令。
2.根据权利要求1所述的方法,
其中所述确定包括当所述等待传输的命令是第二读取命令时,确定不生成所述放电命令,
所述方法进一步包括在所述确定不生成所述放电命令之后将所述第二读取命令传输至所述半导体存储器装置。
3.根据权利要求1所述的方法,
其中所述确定包括当所述等待传输的命令是编程命令或擦除命令时,确定生成所述放电命令,
所述方法进一步包括,在确定生成所述放电命令之后:
生成所述放电命令并将所述放电命令传输至所述半导体存储器装置;以及
将所述等待传输的命令传输至所述半导体存储器装置。
4.根据权利要求3所述的方法,进一步包括:在将所述等待传输的命令传输至所述半导体存储器装置之后,生成所述放电命令并将所述放电命令传输至所述半导体存储器装置。
5.一种存储装置,包括:
半导体存储器装置,包括生成多个操作电压的电压发生器;以及
存储器控制器,控制所述半导体存储器装置的操作,
其中所述存储器控制器控制所述半导体存储器装置,使得当所述半导体存储器装置执行连续读取操作时,省略所述连续读取操作之间所述电压发生器的预充电操作和放电操作。
6.根据权利要求5所述的存储装置,其中所述存储器控制器基于放电命令控制所述半导体存储器装置对所述电压发生器放电。
7.根据权利要求6所述的存储装置,其中当所述半导体存储器装置的读取操作完成时,所述存储器控制器基于等待传输的命令确定是否生成所述放电命令。
8.根据权利要求7所述的存储装置,其中当所述等待传输的命令是读取命令时,所述存储器控制器将所述等待传输的命令传输至所述半导体存储器装置,而不生成所述放电命令。
9.根据权利要求7所述的存储装置,其中当所述等待传输的命令不是读取命令时,所述存储器控制器生成所述放电命令,并将所述放电命令传输至所述半导体存储器装置,然后将所述等待传输的命令传输至所述半导体存储器装置。
10.一种半导体存储器装置,包括:
存储器单元阵列;
电压发生器,生成用于对所述存储器单元阵列执行操作的电压;以及
控制逻辑,控制所述电压发生器的操作,
其中所述控制逻辑基于在对所述存储器单元阵列的读取操作之后接收的命令来控制所述电压发生器的放电操作。
11.根据权利要求10所述的半导体存储器装置,其中当在所述读取操作完成之后的预定参考时间内接收到读取命令时,所述控制逻辑控制所述电压发生器执行与所接收的读取命令对应的读取操作,而不执行所述电压发生器的放电操作。
12.根据权利要求10所述的半导体存储器装置,其中当在所述读取操作完成之后接收到读取命令之外的命令时,所述控制逻辑控制所述电压发生器执行放电操作和预充电操作,并且然后基于所接收的命令执行操作。
13.根据权利要求10所述的半导体存储器装置,其中当在所述读取操作完成之后的预定参考时间内未接收到命令时,所述控制逻辑控制所述电压发生器执行放电操作。
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