[发明专利]半导体存储器装置、存储装置及操作存储器控制器的方法

说明书

本发明提供一种半导体存储器装置的操作方法，半导体存储器装置的操作可通过该操作方法来控制。该操作方法可包括：将第一读取命令传输至半导体存储器装置，以及基于在第一读取命令之后等待传输的命令的类型来确定是否生成放电命令。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年3月29日提交的申请号为10-2018-0036822的韩国专利申请的优先权，其全部公开通过引用整体并入本文。

技术领域

本公开的各种实施例总体涉及一种电子装置。特别地，实施例涉及存储器控制器以及半导体存储器装置。

背景技术

通常，存储器装置可以具有串水平地布置在半导体衬底上的二维结构或者串垂直地堆叠在半导体衬底上的三维结构。三维存储器装置可以是被设计成克服二维存储器装置的集成度的限制的装置，并且可以包括垂直堆叠在半导体衬底上的多个存储器单元。

发明内容

本公开的各种实施例涉及一种操作能够提高半导体存储器装置的操作速度的存储器控制器的方法。

本公开的各种实施例可以提供具有提高的操作速度的存储装置。

本公开的各种实施例可以提供具有提高的操作速度的半导体存储器装置。

本公开的实施例可以提供一种操作存储器控制器的方法，所述存储器控制器控制半导体存储器装置的操作。该方法可以包括：将第一读取命令传输至半导体存储器装置；以及基于在第一读取命令之后等待传输的命令的类型来确定是否生成放电命令。

在实施例中，确定可以包括当等待传输的命令是第二读取命令时，确定不生成放电命令。在这种情况下，方法可以进一步包括在确定之后将第二读取命令传输至半导体存储器装置。

在实施例中，确定可以包括当等待传输的命令是编程命令或擦除命令时，确定生成放电命令。在这种情况下，该方法可以进一步包括在确定之后，生成放电命令并将放电命令传输至半导体存储器装置；以及将等待传输的命令传输至半导体存储器装置。

在实施例中，该方法可以进一步包括在传输之后，生成放电命令并将放电命令传输至半导体存储器装置。

本公开的实施例可以提供一种存储装置，该存储装置包括：半导体存储器装置，包括被配置成生成多个操作电压的电压发生器；以及存储器控制器，被配置为控制半导体存储器装置的操作。存储器控制器可以控制半导体存储器装置，使得当半导体存储器装置执行连续读取操作时，省略连续读取操作之间的电压发生器的预充电操作和放电操作。

在实施例中，存储器控制器可以基于放电命令控制半导体存储器装置对电压发生器放电。

在实施例中，当半导体存储器装置的读取操作完成时，存储器控制器可以基于等待传输的命令确定是否生成放电命令。

在实施例中，当等待传输的命令是读取命令时，存储器控制器可以将等待传输的命令传输至半导体存储器装置，而不生成放电命令。

在实施例中，当等待传输的命令不是读取命令时，存储器控制器可以生成放电命令，并将放电命令传输至半导体存储器装置，然后将等待传输的命令传输至半导体存储器装置。

本公开的实施例可以提供一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：存储器单元阵列；电压发生器，被配置成生成用于对存储器单元阵列执行操作的电压；以及控制逻辑，被配置成控制电压发生器的操作。控制逻辑可以被配置成基于在对存储器单元阵列的读取操作之后接收到的命令来控制电压发生器的放电操作。

在实施例中，当在读取操作完成之后的预定参考时间内接收到读取命令时，控制逻辑可以控制电压发生器执行与所接收的读取命令对应的读取操作，而不执行电压发生器的放电操作。