[发明专利]OLED显示装置在审
申请号: | 201811500908.3 | 申请日: | 2018-12-10 |
公开(公告)号: | CN109659338A | 公开(公告)日: | 2019-04-19 |
发明(设计)人: | 蒋谦 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 阻层 平坦化层 栅极绝缘层 隆起状 源漏极金属层 薄膜封装层 像素限定层 阳极金属层 栅极金属层 出射光线 发光薄膜 显示屏幕 钝化层 缓冲层 图案层 出射 基板 源层 视角 | ||
1.一种OLED显示装置,其特征在于,包括:
基板;
缓冲层,位于所述基板的表面;
有源层,位于所述缓冲层的表面;
第一栅极绝缘层,位于所述缓冲层的表面并覆盖所述有源层;
栅极金属层,位于所述第一栅极绝缘层的表面;
第二栅极绝缘层,位于所述第一栅极绝缘层的表面并覆盖所述栅极金属层,所述第二栅极绝缘层上形成有第一通孔;
源漏极金属层,位于所述第二栅极绝缘层的表面,并且所述源漏极金属层通过所述第一通孔与所述有源层连通;
钝化层,位于所述第二栅极绝缘层的表面并覆盖所述源漏极金属层;
平坦化层,位于所述钝化层的表面,所述钝化层以及所述平坦化层上形成有第二通孔并暴露出所述源漏极金属层;
有机光阻层,位于所述平坦化层的表面;
阳极金属层,位于所述平坦化层的表面并完全覆盖所述有机光阻层,所述阳极金属层通过所述第二通孔与所述源漏极金属层连通;
像素限定层,位于所述平坦化层的表面并覆盖所述阳极金属层的边缘两端;
OLED像素层,位于所述阳极金属层的表面;
薄膜封装层,位于所述基板的表面并覆盖所述有机光阻层、阳极金属层、像素限定层以及OLED像素层。
其中,所述有机光阻层设置为隆起状结构。
2.根据权利要求1所述OLED显示装置,其特征在于,所述隆起状结构包括直线部分以及斜坡部分,所述直线部分位于所述隆起结构的顶边,所述斜坡部分位于所述隆起结构的两侧边。
3.根据权利要求2所述OLED显示装置,其特征在于,所述隆起状结构为单层膜结构。
4.根据权利要求2所述OLED显示装置,其特征在于,所述隆起状结构为双层膜结构。
5.根据权利要求1所述OLED显示装置,其特征在于,所述平坦化层的表面设置有柱状突起,所述柱状突起覆盖相邻的两所述有机光阻层的边缘。
6.根据权利要求5所述OLED显示装置,其特征在于,所述柱状突起的材质与所述像素限定层的材质相同,所述柱状突起的高度大于所述像素限定层的高度。
7.根据权利要求6所述OLED显示装置,其特征在于,所述柱状突起的高度范围为1~10um。
8.根据权利要求1所述OLED显示装置,其特征在于,所述OLED像素层包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、金属电极层以及有机覆盖层等,不限于上述膜层。
9.根据权利要求8所述OLED显示装置,其特征在于,所述发光层还包括红色发光层、绿色发光层以及蓝色发光层。
10.根据权利要求8所述OLED显示装置,其特征在于,所述发光层为白色发光层,所述薄膜封装层上设置有间隔间隙,所述间隔间隙上设置有滤色层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电半导体显示技术有限公司,未经武汉华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811500908.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:显示面板
- 下一篇:可折叠显示面板及其制作方法和可折叠显示装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的