[发明专利]OLED显示装置在审
申请号: | 201811500908.3 | 申请日: | 2018-12-10 |
公开(公告)号: | CN109659338A | 公开(公告)日: | 2019-04-19 |
发明(设计)人: | 蒋谦 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阻层 平坦化层 栅极绝缘层 隆起状 源漏极金属层 薄膜封装层 像素限定层 阳极金属层 栅极金属层 出射光线 发光薄膜 显示屏幕 钝化层 缓冲层 图案层 出射 基板 源层 视角 | ||
一种OLED显示装置,包括:基板、缓冲层、有源层、第一栅极绝缘层、栅极金属层、第二栅极绝缘层、源漏极金属层、钝化层、平坦化层、有机光阻层、阳极金属层、像素限定层、OLED像素层以及薄膜封装层;其中,所述有机光阻层位于所述平坦化层的表面,所述有机光阻层设置为隆起状结构。有益效果:本发明所提供的OLED显示装置,在平坦化层上设置一层隆起状结构的有机光阻层,使有机光阻层之上的发光薄膜图案层发出的光线在多个方向上出射,进一步使出射光线更加均匀,更进一步改善了显示屏幕的视角。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种OLED显示装置。
背景技术
目前的显示领域中,有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)因具有高效率、制备工艺简单、优良的特性等优点具有广阔的前景。现有技术的OLED显示装置中的发光材料层,通过精密金属掩模版,形成子像素大小的膜图案,红色发光材料层图案、绿色材料发光层图案、蓝色材料发光层图案并置沉积的像素限定层凹形部位内。现有的OLED显示装置中的像素限定层为梯形结构,使得位于像素限定层上的发光薄膜图案层发出的红色光线、绿色光线以及蓝色光线垂直于屏幕发射,造成屏幕的亮度视角限制和屏幕色偏现象。
综上所述,现有的OLED显示装置,由于屏幕上的发光像素阵列为平面型,使发光薄膜图案层发出的光线垂直于屏幕,进一步导致了屏幕存在视角限制和屏幕色偏现象。
发明内容
本发明提供一种OLED显示装置,能够使发光薄膜图案层发出的光线在多个方向上出射,以解决现有的OLED显示装置,由于屏幕上的发光像素阵列为平面型,使发光薄膜图案层发出的光线垂直于屏幕,进一步导致了屏幕存在视角限制的技术问题。
为解决上述问题,本发明提供的技术方案如下:
本发明提供一种OLED显示装置,包括:基板、缓冲层、有源层、第一栅极绝缘层、栅极金属层、第二栅极绝缘层、源漏极金属层、钝化层、平坦化层、有机光阻层、阳极金属层、像素限定层、OLED像素层以及薄膜封装层;
其中,所述第二栅极绝缘层上形成有第一通孔,所述源漏极金属层通过所述第一通孔与所述有源层连通;所述钝化层以及所述平坦化层上形成有第二通孔并暴露出所述源漏极金属层,所述阳极金属层通过所述第二通孔与所述源漏极金属层连通;所述有机光阻层位于所述平坦化层的表面,所述有机光阻层设置为隆起状结构。
根据本发明一优选实施例,所述隆起状结构包括直线部分以及斜坡部分,所述直线部分位于所述隆起结构的顶边,所述斜坡部分位于所述隆起结构的两侧边。
根据本发明一优选实施例,所述隆起状结构为单层膜结构。
根据本发明一优选实施例,所述隆起状结构为双层膜结构。
根据本发明一优选实施例,所述平坦化层的表面设置有柱状突起,所述柱状突起覆盖相邻的两所述有机光阻层的边缘。
根据本发明一优选实施例,所述柱状突起的材质与所述像素限定层的材质相同,所述柱状突起的高度大于所述像素限定层的高度。
根据本发明一优选实施例,所述柱状突起的高度范围为1~10um。
根据本发明一优选实施例,所述OLED像素层包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、金属电极层以及有机覆盖层等,不限于上述膜层。
根据本发明一优选实施例,所述发光层还包括红色发光层、绿色发光层以及蓝色发光层。
根据本发明一优选实施例,所述发光层为白色发光层,所述薄膜封装层上设置有间隔间隙,所述间隔间隙上设置有滤色层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的