[发明专利]制造显示装置的方法在审
申请号: | 201811501562.9 | 申请日: | 2018-12-10 |
公开(公告)号: | CN110021634A | 公开(公告)日: | 2019-07-16 |
发明(设计)人: | 权宁吉;郑知泳 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘灿强;韩芳 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 非光敏 开口区域 无机材料层 像素限定层 显示装置 像素电极 临时层 开口 限定开口 宽度比 中间层 堤部 叠置 制造 | ||
1.一种制造显示装置的方法,所述方法包括:
形成像素电极;
形成像素限定层,所述像素限定层包括与所述像素电极对应的开口和限定所述开口的堤部;
在所述像素限定层上形成第一非光敏层;
在所述第一非光敏层的一部分上形成临时层,所述临时层包括与所述第一非光敏层的材料不同的第二非光敏材料;
通过使用所述临时层来在所述第一非光敏层上形成无机材料层以阻挡在所述第一非光敏层的其上形成有所述临时层的所述一部分上形成所述无机材料层,使得所述无机材料层包括与位于所述像素限定层中的所述开口对应的第一开口区域;
在所述第一非光敏层中形成第二开口区域,所述第二开口区域与所述第一开口区域叠置,并且所述第二开口区域的宽度比所述第一开口区域的宽度大;以及
通过将所述第一非光敏层和所述无机材料层用作模板来在所述像素电极上形成中间层。
2.根据权利要求1所述的方法,所述方法还包括在所述中间层上形成导电层。
3.根据权利要求2所述的方法,其中,在形成所述导电层的步骤中,将包括所述第二开口区域的所述第一非光敏层和包括所述第一开口区域的所述无机材料层用作模板。
4.根据权利要求1所述的方法,其中,包括所述第二非光敏材料的所述临时层具有其下部的宽度比其上部的宽度小的底切结构。
5.根据权利要求4所述的方法,其中:
所述临时层的所述下部包括所述第二非光敏材料,并且
所述临时层的所述上部包括与所述临时层的所述下部的所述第二非光敏材料不同的材料。
6.根据权利要求5所述的方法,其中,所述临时层的所述上部包括光敏材料。
7.根据权利要求1所述的方法,其中,
在形成所述无机材料层的步骤中,所述无机材料层的与所述第一开口区域相邻的端部与所述临时层的下部间隔开预定间隔,并且
在所述第一非光敏层中形成所述第二开口区域的步骤包括去除所述临时层和所述第一非光敏层的与所述临时层叠置的部分。
8.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第一非光敏层的所述第二开口区域的宽度比所述像素电极的通过所述像素限定层的所述开口暴露的宽度大。
9.根据权利要求1所述的方法,其中,在形成所述中间层的步骤中,相对于与所述像素电极的上表面垂直的方向倾斜地射入形成所述中间层的材料,使得在所述像素电极和与所述像素电极相邻的所述堤部上形成所述中间层。
10.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第一非光敏层包括氟类非光敏材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的