[发明专利]制造显示装置的方法在审
申请号: | 201811501562.9 | 申请日: | 2018-12-10 |
公开(公告)号: | CN110021634A | 公开(公告)日: | 2019-07-16 |
发明(设计)人: | 权宁吉;郑知泳 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘灿强;韩芳 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 非光敏 开口区域 无机材料层 像素限定层 显示装置 像素电极 临时层 开口 限定开口 宽度比 中间层 堤部 叠置 制造 | ||
提供了一种制造显示装置的方法,所述方法包括:形成包括与像素电极对应的开口和限定开口的堤部的像素限定层;在像素限定层上形成第一非光敏层;在第一非光敏层的一部分上形成包括与第一非光敏层的材料不同的第二非光敏材料的临时层;使用临时层在第一非光敏层上形成无机材料层,使得无机材料层包括与开口对应的第一开口区域;在第一非光敏层中形成与第一开口区域叠置的第二开口区域,其中,第二开口区域的宽度比第一开口区域的宽度大;以及通过将第一非光敏层和无机材料层用作模板来在像素电极上形成中间层。
于2017年12月18日在韩国知识产权局提交的第10-2017-0174166号且发明名称为“制造显示装置的方法(Method of Manufacturing Display Device)”的韩国专利申请通过引用全部包含于此。
技术领域
一个或更多个实施例涉及一种制造显示装置的方法。
背景技术
有机发光显示装置是每个像素包括有机发光二极管(OLED)的显示装置。OLED包括像素电极、面对像素电极的对电极以及位于像素电极与对电极之间的发射层。
发明内容
实施例涉及制造显示装置的方法,所述方法包括:形成像素电极;形成包括与像素电极对应的开口和限定开口的堤部的像素限定层;在像素限定层上形成第一非光敏层;在第一非光敏层的一部分上形成临时层,临时层包括与第一非光敏层的材料不同的第二非光敏材料;通过使用临时层来在第一非光敏层上形成无机材料层以阻挡在第一非光敏层的其上形成有临时层的所述一部分上形成无机材料层,使得无机材料层包括与像素限定层中的开口对应的第一开口区域;在第一非光敏层中形成第二开口区域,第二开口区域与第一开口区域叠置,并且第二开口区域的宽度比第一开口区域的宽度大;以及通过将第一非光敏层和无机材料层用作模板来在像素电极上形成中间层。
所述方法还可以包括在中间层上形成导电层。
在形成导电层的步骤中,可以将分别包括第二开口区域和第一开口区域的第一非光敏层和无机材料层用作模板。
包括第二非光敏材料的临时层可以具有其下部的宽度比其上部的宽度小的底切结构。
临时层的下部可以包括第二非光敏材料,并且临时层的上部可以包括与临时层的下部的第二非光敏材料不同的材料。
临时层的上部可以包括光敏材料。
在形成无机材料层的步骤中,无机材料层的与第一开口区域相邻的端部与临时层的下部间隔开预定间隔。在第一非光敏层中形成第二开口区域的步骤可以包括去除临时层和第一非光敏层的与临时层叠置的部分。
第一非光敏层的第二开口区域的宽度可以比像素电极的通过像素限定层的开口暴露的宽度大。
在形成中间层的步骤中,可以相对于与像素电极的上表面垂直的方向倾斜地射入形成中间层的材料,使得在像素电极和与像素电极相邻的堤部上形成中间层。
第一非光敏层可以包括氟类非光敏材料。
附图说明
通过参照附图详细描述示例性实施例,特征对于本领域技术人员将变得明显,在附图中:
图1至图8示出了描绘根据实施例的制造显示装置的方法的阶段的剖视图;
图9A至图9C示出了描绘根据实施例的在形成显示装置的方法中形成第二开口区域的方法的阶段的剖视图;
图10A和图10B示出了描绘根据另一实施例的在形成显示装置的方法中形成第二开口区域的方法的阶段的剖视图;
图11至图13示出了描绘根据另一实施例的制造显示装置的方法的阶段的剖视图;以及
图14至图16示出了描绘根据另一实施例的制造显示装置的方法的阶段的剖视图。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星显示有限公司,未经三星显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811501562.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:照明装置和显示设备
- 下一篇:具有集成触摸屏的显示设备
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的