[发明专利]半导体器件制程控制方法及其控制系统

权利要求书

1.一种半导体器件制程控制方法，其特征在于，用于控制所述半导体器件在工艺流水线上的制程，所述半导体器件包括半导体基底和形成于所述半导体基底表面的M层金属层，所述半导体基底内形成有多个功率元件，所述金属层与所述功率元件电连接，所述工艺流水线包括M个工艺站和多个检测站，每一所述工艺站用于在所述半导体基底上形成一层金属层，所述检测站中至少部分检测站用于通过所述金属层检测所述功率元件的电性参数，所述控制方法包括：

步骤A：接收输送信号；

步骤B：判断是否进入下一工艺站，若是，则控制所述半导体基底进入下一工艺站并在所述半导体基底的表面增加一层金属层；

步骤C：判断是否对当前金属层进行检测，若是，则控制所述半导体基底进入下一检测站，并在所述检测站进行电性检测后，重复步骤B。

2.如权利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述步骤C是根据当前金属层和当前半导体基底的批尾号判断是否对当前半导体基底的当前金属层进行检测，若是，则控制当前半导体基底进入下一检测站。

3.如权利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述步骤C中，若判断出不对当前金属层进行检测，则重复步骤B。

4.如权利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述金属层包括直接与所述功率元件电连接的第一类金属层和间接与所述功率元件电连接的第二类金属层，所述检测站包括第一类检测站和第二类检测站，所述第一类检测站用于通过所述第一类金属层检测所述功率元件的电性参数，所述第二类检测站用于检测所述第二类金属层的电性参数，在所述步骤C：控制所述半导体基底进入下一检测站的步骤中：

若当前金属层为第一类金属层，则所述下一检测站为第一类检测站；若当前金属层为第二类金属层，则所述下一检测站为第二类检测站。

5.如权利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述控制方法还包括：

在所述检测站完成电性检测后，获取所述电性参数并对所述电性参数进行比对分析，判断所述电性参数是否正常并生成报告。

6.如权利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述控制方法还包括：

在所述检测站完成电性检测后，获取所述电性参数并进行存储。

7.一种半导体器件制程控制系统，其特征在于，用于控制所述半导体器件在工艺流水线上的制程，所述半导体器件包括半导体基底和形成于所述半导体基底表面的M层金属层，所述半导体基底内形成有多个功率元件，所述金属层与所述功率元件电连接，所述工艺流水线包括M个工艺站和多个检测站，每一所述工艺站用于在所述半导体基底上形成一层金属层，所述检测站中至少部分检测站用于通过所述金属层检测所述功率元件的电性参数，所述控制系统包括：

控制单元，用于接收输送信号并判断是否进入下一工艺站，若是，则控制所述半导体基底进入下一工艺站并在所述半导体基底的表面增加一层金属层，和用于在形成所述金属层后判断是否对当前金属层进行检测，若是，则控制所述半导体基底进入下一检测站。

8.如权利要求7所述的控制系统，其特征在于，所述控制单元还用于根据当前金属层和当前半导体基底的批尾号判断是否对当前半导体基底的当前金属层进行检测，若是，则控制当前半导体基底进入下一检测站。

9.如权利要求7所述的控制系统，其特征在于，所述控制系统还包括：

分析单元，用于获取所述电性参数并对所述电性参数进行比对分析，判断所述电性参数是否正常并生成报告。

10.如权利要求7所述的控制系统，其特征在于，所述控制系统还包括：

存储单元，用于获取并存储所述电性参数。