[发明专利]半导体器件制程控制方法及其控制系统

说明书

本申请涉及一种半导体器件制程控制方法及其控制系统，半导体器件包括半导体基底和M层金属层，半导体基底内形成有多个功率元件，金属层与功率元件电连接，工艺流水线包括M个工艺站和多个检测站，检测站中至少部分检测站用于通过金属层检测功率元件的电性参数，控制方法包括：判断是否进入下一工艺站，若是，则控制半导体基底进入下一工艺站并在半导体基底的表面增加一层金属层；判断是否对当前金属层进行检测，若是，则控制半导体基底进入下一检测站，并在检测站进行电性检测后，重复上述步骤。通过在金属层的制备过程通过金属层对功率元件进行电性检测，可以尽早获知前段工艺是否正常，避免生成更多不合格的产品。

技术领域

本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种半导体器件制程控制方法及其控制系统。

背景技术

在半导体器件生产过程中，经常会发生机台或工艺异常，使得有些参数异常，比如注入、推进等工艺异常对器件的影响是致命的，而这类异常只能反映在电性参数上，进行表面缺陷检测或者进行物理测量并不能检测出这类异常。一旦出现这类异常且不能及时发现，不能对异常设备及时维修，将会产生更多不合格的产品，且不合格的产品继续作业，也会浪费制造成本，且延误生产周期。

发明内容

基于此，有必要针对半导体器件制程中的有些异常不能及时发现的问题，提出了一种新半导体器件制程控制方法及半导体器件制程控制系统。

一种半导体器件制程控制方法，用于控制所述半导体器件在工艺流水线上的制程，所述半导体器件包括半导体基底和形成于所述半导体基底表面的M层金属层，所述半导体基底内形成有多个功率元件，所述金属层与所述功率元件电连接，所述工艺流水线包括M个工艺站和多个检测站，每一所述工艺站用于在所述半导体基底上形成一层金属层，所述检测站中至少部分检测站用于通过所述金属层检测所述功率元件的电性参数，所述控制方法包括：

步骤A：接收输送信号；

步骤B：判断是否进入下一工艺站，若是，则控制所述半导体基底进入下一工艺站并在所述半导体基底的表面增加一层金属层；

步骤C：判断是否对当前金属层进行检测，若是，则控制所述半导体基底进入下一检测站，并在所述检测站进行电性检测后，重复步骤B。

上述半导体制程控制方法，在金属层的制备过程中加入电性参数检测过程，可以通过某些金属层对半导体基底内部的功率元件进行电性检测，获取半导体基底内部功率元件的电性参数，通过电性参数分析前段制程如注入、推进等工艺是否正常。通过在金属层制备过程中加入电性参数检测过程，可以尽早发现前段制程工艺是否异常，并尽早对问题进行排查，避免出现更多不合格的产品，减小制造成本的浪费，避免过于延误生产周期。

在其中一个实施例中，所述步骤C是根据当前金属层和当前半导体基底的批尾号判断是否对当前半导体基底的当前金属层进行检测，若是，则控制当前半导体基底进入下一检测站。

在其中一个实施例中，所述步骤C中，若判断出不对当前金属层进行检测，则重复步骤B。

在其中一个实施例中，所述金属层包括直接与所述功率元件电连接的第一类金属层和间接与所述功率元件电连接的第二类金属层，所述检测站包括第一类检测站和第二类检测站，所述第一类检测站用于通过所述第一类金属层检测所述功率元件的电性参数，所述第二类检测站用于检测所述第二类金属层的电性参数，在所述步骤C：控制所述半导体基底进入下一检测站的步骤中：

若当前金属层为第一类金属层，则所述下一检测站为第一类检测站；若当前金属层为第二类金属层，则所述下一检测站为第二类检测站。

在其中一个实施例中，所述控制方法还包括：

在所述检测站完成电性检测后，获取所述电性参数并对所述电性参数进行比对分析，判断所述电性参数是否正常并生成报告。

在其中一个实施例中，所述控制方法还包括：