[发明专利]一种功率器件终端结构及其制作方法

权利要求书

1.一种功率器件终端结构的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

提供衬底，在所述衬底上形成第一导电类型的第一外延层；

在第一导电类型的第一外延层表面形成多个间隔排列的第二导电类型的第一场限环区；

在所述第一外延层表面相邻的两个第一场限环区之间形成多个交替间隔排列的第一导电类型的第一注入区及第二导电类型的第二注入区，多个所述第一注入区及所述第二注入区的两端均连接相邻的两个第一场限环区；

在所述第一外延层上形成第一导电类型的第二外延层；

在所述第二外延层内形成多个间隔排列的第二导电类型的第二场限环区，所述第二场限环区与所述第一场限环区上下连接；

在所述第二外延层表面的两个第二场限环区之间形成多个交替间隔排列的第一导电类型的第三注入区及第二导电类型的第四注入区，所述第三注入区及所述第四注入区分别位于所述第二注入区及所述第一注入区上方且所述第三注入区与所述第四注入区的两端分别连接相邻的两个第二场限环区；

通过热扩散工艺使所述第一注入区、第二注入区、第三注入区及第四注入区扩散连接在一起形成场限环耐压结构。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在第一导电类型的第一外延层表面形成多个间隔排列的第二导电类型的第一场限环区具体包括：

在所述第一外延层上形成具有多个间隔排列的注入窗口的第一光刻胶层；

以所述第一光刻胶层为掩膜，进行对第二导电类型离子的注入，形成所述第一场限环区，然后去除所述第一光刻胶层；

进行热扩散工艺，形成所述多个间隔排列于所述第一外延层表面的第二导电类型的第一场限环区。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述第一外延层表面相邻的两个第一场限环区之间形成多个交替间隔排列的第一导电类型的第一注入区及第二导电类型的第二注入区具体包括：

在所述第一外延层上形成有多个间隔排列的注入窗口的第二光刻胶层；

以所述第二光刻胶层为掩膜，在所述第一外延层表面相邻的两个第一场限环区之间形成多个第一注入区；

去除所述第二光刻胶层；

在所述第一外延层上形成有多个间隔排列的注入窗口的第三光刻胶层；

以所述第三光刻胶层为掩膜，在所述第一外延层表面相邻的两个第一场限环区之间形成与所述第一注入区交替排列的多个第二注入区；

去除所述第三光刻胶层。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在第一导电类型的第二外延层表面形成多个间隔排列的第二导电类型的第二场限环区具体包括：在所述第二外延层上形成有多个间隔排列的注入窗口的第四光刻胶层；

以所述第四光刻胶层为掩膜，进行对第二导电类型离子的注入形成所述第二场限环区；

去除所述第四光刻胶层；

进行热扩散工艺，形成所述多个间隔排列于所述第一外延层内且与所述第一场限环区上下连接的第二导电类型的第二场限环区。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述第二外延层表面的两个第二场限环区之间形成多个交替间隔排列的第一导电类型的第三注入区及第二导电类型的第四注入区具体包括：

在所述第二外延层上形成具有多个间隔排列的注入窗口的第五光刻胶层；

以所述第五光刻胶层为掩膜，在所述第二外延层相邻的两个第二场限环区之间形成多个第一导电类型的第三注入区，所述第三注入区位于所述第二注入区的正上方；

去除所述第五光刻胶层；

在所述第二外延层上形成具有多个间隔排列的注入窗口的第六光刻胶层；

以所述第六光刻胶层为掩膜，在所述第二外延层相邻的两个第二场限环区之间形成与多个所述第三注入区交替排列的多个第四注入区，所述第四注入区位于所述第一注入区的上方；

去除所述第六光刻胶层。

6.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述第一场限环区的注入离子为硼离子，注入剂量在1E15-5E15/cm²之间，注入能量在70KeV-100KeV之间。