[发明专利]图像传感器

权利要求书

1.一种图像传感器，所述图像传感器包括：

衬底，所述衬底包括单元像素区域，所述单元像素区域包括像素晶体管形成区域和至少一个像素区域，所述衬底包括第一表面和第二表面，所述第一表面和所述第二表面彼此面对，所述第二表面被配置为光入射表面；

第一半导体光电转换元件，所述第一半导体光电转换元件在所述衬底内部，使得所述第一半导体光电转换元件被所述衬底至少部分地包封；

有机光电转换元件，所述有机光电转换元件位于所述衬底的所述第二表面上；

第一浮置扩散区域，所述第一浮置扩散区域位于所述衬底的所述第一表面上；

第一转移晶体管，所述第一转移晶体管的第一端连接到所述第一半导体光电转换元件，所述第一转移晶体管的第二端连接到所述第一浮置扩散区域；以及

第二转移晶体管，所述第二转移晶体管的第一端连接到所述有机光电转换元件，所述第二转移晶体管的第二端连接到所述第一浮置扩散区域，

其中，所述至少一个像素区域包括第一像素区域，并且所述第一半导体光电转换元件、所述第一浮置扩散区域以及所述第一转移晶体管和所述第二转移晶体管位于所述第一像素区域中。

2.根据权利要求1所述的图像传感器，所述图像传感器还包括：

连接到所述有机光电转换元件的第一穿透电极，所述第一穿透电极包括至少第一部分和第二部分，所述第一穿透电极的所述第一部分从所述衬底的所述第一表面延伸到所述衬底的所述第二表面；

第一接触件，所述第一接触件在第一方向上从所述衬底的所述第一表面延伸，所述第一接触件包括第一表面和第二表面，所述第一接触件的所述第二表面面对所述第一接触件的所述第一表面，所述第一接触件的所述第二表面与所述第一穿透电极接触；以及

第二接触件，所述第二接触件在所述第一方向上从所述衬底的所述第一表面延伸，所述第二接触件包括第三表面和第四表面，所述第四表面面对所述第三表面，所述第四表面与所述第二转移晶体管的源极区域接触，

其中，所述第一方向是从所述衬底的所述第二表面朝向所述衬底的所述第一表面延伸的方向，

所述第一接触件的所述第一表面和所述第二接触件的所述第三表面是基本上共面的。

3.根据权利要求2所述的图像传感器，其中，

所述第一转移晶体管包括第一转移栅极，所述第一转移栅极被配置为向所述第一浮置扩散区域转移第一电荷，所述第一电荷由所述第一半导体光电转换元件产生，

所述第二转移晶体管包括第二转移栅极，所述第二转移栅极被配置为使用所述第一穿透电极、所述第一接触件和所述第二接触件来向所述第一浮置扩散区域转移第二电荷，所述第二电荷由所述有机光电转换元件产生。

4.根据权利要求2所述的图像传感器，所述图像传感器还包括：

蚀刻停止膜，所述蚀刻停止膜位于所述衬底的所述第一表面上，使得所述蚀刻停止膜覆盖所述第一穿透电极、所述第一转移晶体管、所述第二转移晶体管和所述第一浮置扩散区域，

其中，所述第一接触件和所述第二接触件穿透所述蚀刻停止膜。

5.根据权利要求2所述的图像传感器，其中，所述第一穿透电极位于所述第一像素区域中。

6.根据权利要求1所述的图像传感器，所述图像传感器还包括：

复位晶体管，所述复位晶体管被配置为复位所述第一浮置扩散区域，所述复位晶体管的第一端连接到电源电压，所述复位晶体管的第二端连接到所述第一浮置扩散区域；以及

源跟随器晶体管，所述源跟随器晶体管的栅极连接到所述第一浮置扩散区域，

其中，所述复位晶体管和所述源跟随器晶体管位于所述像素晶体管形成区域中。