[发明专利]图像传感器

说明书

提供了一种图像传感器，其包括：衬底，所述衬底包括第一表面和面对第一表面的光入射第二表面；第一半导体光电转换元件，在衬底内部；有机光电转换元件，位于衬底的第二表面上；第一浮置扩散区域，位于衬底的第一表面上；第一转移晶体管，第一转移晶体管的第一端连接到第一半导体光电转换元件，第一转移晶体管的第二端连接到第一浮置扩散区域；以及第二转移晶体管，第二转移晶体管的第一端具有连接到有机光电转换元件，第二转移晶体管的第二端连接到第一浮置扩散区域。第一半导体光电转换元件、第一浮置扩散区域以及第一转移晶体管和第二转移晶体管可位于衬底的第一像素区域中。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年2月27日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0023655的权益，上述韩国专利申请的公开内容通过引用整体地并入本文。

技术领域

本发明构思涉及图像传感器。

背景技术

图像传感器可包括被配置为将光信息转换成电信号的半导体器件的元件。这种图像传感器可包括CCD(电荷耦合器件)图像传感器和CMOS(互补金属氧化物半导体)图像传感器。随着半导体器件的集成度更高，图像传感器也被高度地集成。

发明内容

一些示例实施例提供一种至少一个像素区域形成一个单元像素区域并且至少一个像素区域共享像素晶体管的共享结构，其中，所述单元像素区域的所述像素区域可包括半导体光电转换元件，并且所述单元像素区域可共享有机光电转换元件，以及可在单元像素区域中形成与所述半导体光电转换元件和所述有机光电转换元件中的每一个相对应的转移晶体管(transfer transistor)。

一些示例实施例提供一种图像传感器，其中，与所述有机光电转换元件和所述半导体光电转换元件中的每一个相对应的转移晶体管设置在像素区域中，使得每个转移晶体管共享浮置扩散区域，从而提高集成度。

一些示例实施例提供一种能够通过同时地形成连接到有机光电转换元件的穿透电极的接触件(contact)和转移晶体管的接触件来简化工艺的图像传感器。

示例实施例不限于以上提及的那些，并且本领域的技术人员可从以下描述中清楚地理解以上未明确地描述的一些示例实施例。

根据一些示例实施例，一种图像传感器可包括衬底、第一半导体光电转换元件、有机光电转换元件、第一浮置扩散区域、第一转移晶体管和第二转移晶体管。所述衬底可包括单元像素区域。所述单元像素区域可包括像素晶体管形成区域和至少一个像素区域。所述衬底可包括第一表面和第二表面。所述第一表面和所述第二表面可彼此面对。所述第二表面可被配置为光入射表面。所述第一半导体光电转换元件可在所述衬底内部，使得所述第一半导体光电转换元件被所述衬底至少部分地包封。所述有机光电转换元件可位于所述衬底的所述第二表面上。所述第一浮置扩散区域可位于所述衬底的所述第一表面上。所述第一转移晶体管的第一端可连接到所述第一半导体光电转换元件，所述第一转移晶体管的第二端可连接到所述第一浮置扩散区域。所述第二转移晶体管的第一端可连接到所述有机光电转换元件，所述第二转移晶体管的第二端连接到所述第一浮置扩散区域。所述至少一个像素区域可包括第一像素区域，所述第一半导体光电转换元件、所述第一浮置扩散区域以及所述第一转移晶体管和所述第二转移晶体管可位于所述第一像素区域中。