[发明专利]显示面板、阵列基板、薄膜晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成遮光层和覆盖所述遮光层的缓冲层，以及依次堆叠设置所述缓冲层上的有源层、栅绝缘材料层和栅极材料层，所述有源层在所述衬底上的正投影覆盖部分所述遮光层在所述衬底上的正投影；

形成由所述栅极材料层延伸至所述缓冲层内的凹槽，且所述凹槽与所述遮光层未被所述有源层覆盖的区域相对；

对所述栅极材料层进行图案化，以形成栅极；

对所述栅绝缘材料层进行图案化，以形成栅极绝缘层；去除所述凹槽底部的缓冲层，使所述遮光层露出；其中，对所述栅绝缘材料层进行图案化形成栅极绝缘层与去除所述凹槽底部的缓冲层，使所述遮光层露出通过同一次光刻工艺完成，且所述栅绝缘材料层的所需的刻蚀时间与所述凹槽底部的缓冲层的刻蚀时间相同；

在所述缓冲层远离所述衬底的表面形成源极和漏极；

形成覆盖所述栅极和所述缓冲层的介电层；

在所述介电层与所述凹槽对应的位置，采用同一道工艺形成露出所述遮光层的第一过孔，以及形成露出所述漏极的第二过孔和露出源极的第三过孔，所述第一过孔与所述第二过孔间隔设置；

在所述介电层远离所述衬底的一侧形成覆盖所述介电层部分区域的导线层，所述导线层包括漏极线和与所述漏极线间隔设置的源极线，所述漏极线通过所述第一过孔与所述遮光层连接，并通过所述第二过孔与所述漏极连接，所述源极线通过所述第三过孔与所述源极连接。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成由所述栅极材料层延伸至所述缓冲层内的凹槽，且所述凹槽与所述遮光层未被所述有源层覆盖的区域相对，包括：

在所述栅极材料层远离所述衬底的表面形成第一光刻胶材料层；

对所述第一光刻胶材料层进行曝光并显影，形成与所述遮光层未被所述有源层覆盖的区域位置相对的去除区；

从所述去除区向所述缓冲层一侧进行刻蚀，以形成从所述栅极材料层延伸至所述缓冲层内的凹槽。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述有源层包括外围区和位于外围区内的沟道区；所述栅绝缘层覆盖于所述沟道区，且露出所述外围区的至少部分区域；

在所述缓冲层远离所述衬底的表面形成源极和漏极，包括：

对所述有源层的外围区进行导体化处理，以得到位于所述沟道区两侧的源极和漏极。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括：

形成覆盖所述介电层和所述导线层的钝化层。

5.一种薄膜晶体管，其特征在于，由权利要求1-4任一项所述制造方法所制造。

6.一种阵列基板，其特征在于，包括权利要求5所述的薄膜晶体管。

7.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求6所述的阵列基板。