[发明专利]显示面板、阵列基板、薄膜晶体管及其制造方法有效
申请号: | 201811509593.9 | 申请日: | 2018-12-11 |
公开(公告)号: | CN109509707B | 公开(公告)日: | 2023-04-28 |
发明(设计)人: | 苏同上;王东方;王庆贺;宋嘉文;罗志文;闫梁臣 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336;H01L29/786;H01L27/12 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 袁礼君;阚梓瑄 |
地址: | 230012 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 阵列 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
本公开是关于一种薄膜晶体管的制方法、薄膜晶体管、阵列基板及显示面板。该制造方法包括:在衬底上形成遮光层和覆盖遮光层的缓冲层,以及依次堆叠设置缓冲层上的有源层、栅绝缘材料层和栅极材料层,有源层在衬底上的正投影覆盖部分遮光层在衬底上的正投影;形成由栅极材料层延伸至缓冲层内的凹槽,且凹槽与遮光层未被有源层覆盖的区域相对;对栅极材料层进行图案化,以形成栅极;对栅绝缘材料层进行图案化,以形成栅极绝缘层;去除凹槽底部的缓冲层,使遮光层露出;在缓冲层远离衬底的表面形成源极和漏极;形成覆盖栅极和缓冲层的介电层;在介电层与凹槽对应的位置形成露出遮光层的第一过孔,以及形成露出漏极的第二过孔。
技术领域
本公开涉及显示技术领域,具体而言,涉及一种薄膜晶体管的制方法、薄膜晶体管、阵列基板及显示面板。
背景技术
目前,显示面板的应用越来越广泛,尤其是OLED(有机发光二极管)显示面板已经广泛的应用到了各种显示设备中。在现有显示面板中,薄膜晶体管是必不可少的电子器件,顶栅型薄膜晶体管为例,缓冲层覆盖遮光层,有源层设于缓冲层对应于遮光层的区域,在制造薄膜晶体管时,需要对层叠的介电层与缓冲层开设露出遮光层的接触孔,再通过该接触孔将漏极与遮光层连接。
但是,介电层与缓冲层的厚度较大,层叠后的厚度更大,使得对层叠的介电层与缓冲层开设该接触孔的工艺难度较大,且需要耗费较长时间,长时间的刻蚀,会使得光刻胶的损耗量非常的大,且使得光刻胶容易产生变性,会造成光刻胶在去除工序剥离不干净,造成光刻胶残留,对后续的工艺产生不良影响,降低面板的良率和显示质量。
需要说明的是,在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解,因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本公开的目的在于提供一种工艺简单、成本低的薄膜晶体管的制方法、薄膜晶体管、阵列基板及显示面板。
根据本公开的一个方面,提供了一种薄膜晶体管的制造方法。该制造方法包括:
在衬底上形成遮光层和覆盖所述遮光层的缓冲层,以及依次堆叠设置所述缓冲层上的有源层、栅绝缘材料层和栅极材料层,所述有源层在所述衬底上的正投影覆盖部分所述遮光层在所述衬底上的正投影;
形成由所述栅极材料层延伸至所述缓冲层内的凹槽,且所述凹槽与所述遮光层未被所述有源层覆盖的区域相对;
对所述栅极材料层进行图案化,以形成栅极;
对所述栅绝缘材料层进行图案化,以形成栅极绝缘层;
去除所述凹槽底部的缓冲层,使所述遮光层露出;
在所述缓冲层远离所述衬底的表面形成源极和漏极;
形成覆盖所述栅极和所述缓冲层的介电层;
在所述介电层与所述凹槽对应的位置形成露出所述遮光层的第一过孔,以及形成露出所述漏极的第二过孔;
在所述介电层远离所述衬底的一侧形成覆盖所述介电层部分区域的导线层,所述导线层包括漏极线,所述漏极线通过所述第一过孔与所述遮光层连接,并通过所述第二过孔与所述漏极连接。
在本公开的一种示例性实施例中,所述制造方法还包括:
在所述介电层形成露出所述源极的第三过孔;
所述导线层还包括与所述漏极线间隔设置的源极线,所述源极线通过所述第三过孔与所述源极连接。
在本公开的一种示例性实施例中,形成由所述栅极材料层延伸至所述缓冲层内的凹槽,且所述凹槽与所述遮光层未被所述有源层覆盖的区域相对,包括:
在所述栅极材料层远离所述衬底的表面形成第一光刻胶材料层;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司,未经合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811509593.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种碳化硅二极管的制备方法及碳化硅二极管
- 下一篇:楔形工具及楔形键合方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造