[发明专利]用于人工智能处理的集成电路

权利要求书

1.一种用于人工智能处理的集成电路，包括：

人工智能逻辑电路；以及

嵌入式一次性可编程MRAM存储器，电耦接至所述人工智能逻辑电路以用于存储人工智能模型参数，所述嵌入式一次性可编程MRAM存储器包括：

多个存储单元，每个存储单元包括用于存储不频繁改变的人工智能模型参数的一次性可编程MTJ位单元；

参考电阻器；以及

存储器读取电路，包括：

多路复用器，被配置成将每个存储单元电耦接至所述参考电阻器；

源极线，选择性地向每个存储单元提供第一电信号以生成第一输出信号；

驱动电路，向所述参考电阻器提供第二电信号以生成第二输出信号；以及

比较器，被配置成将所述第一输出信号与所述第二输出信号进行比较以生成指示每个存储单元的状态的输出信号。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述一次性可编程MRAM是自旋轨道矩MRAM、自旋转移矩MRAM、磁电RAM/电压控制的磁各向异性MRAM或正交自旋转移MRAM。

3.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述参考电阻器是具有恒定电阻值的恒定电阻器。

4.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述参考电阻器形成在CMOS晶体管的底部电极层、顶部电极层或金属层中。

5.根据权利要求1所述的集成电路，其中，

所述第一电信号和所述第二电信号中的每一个是电流；以及

所述第一输出信号和所述第二输出信号中的每一个是电压。

6.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述比较器是感测放大器。

7.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述嵌入式一次性可编程MRAM存储器的所述多路复用器被配置成将存储单元阵列中的每个存储单元电耦接至所述参考电阻器。

8.根据权利要求7所述的集成电路，其中，所述嵌入式一次性可编程MRAM存储器还包括：

附加多路复用器，被配置成将附加存储单元阵列中的每个存储单元电耦接至所述参考电阻器；

附加源极线，选择性地向所述附加存储单元阵列中的每个存储单元提供第三电信号以生成第三输出信号；以及

附加比较器，被配置成将所述第三输出信号与所述第二输出信号进行比较以生成指示所述附加存储单元阵列中的每个存储单元的状态的输出信号。

9.根据权利要求1所述的集成电路，其中，

所述嵌入式一次性可编程MRAM存储器中的每个存储单元具有读取裕量窗；以及

所述参考电阻器的值处于所述读取裕量窗的中间范围内。

10.根据权利要求1所述的集成电路，其中，

所述嵌入式一次性可编程MRAM中的所述多个存储单元存储卷积神经网络的一个或更多个权重；以及

所述人工智能逻辑电路被配置成利用所述卷积神经网络的所述一个或更多个权重来执行特定人工智能功能。

11.一种读取人工智能集成电路中的嵌入式一次性可编程MRAM存储器的方法，所述嵌入式一次性可编程MRAM存储器用于存储人工智能模型参数，所述方法包括：

通过多路复用器将所述一次性可编程MRAM中的多个存储单元中的每一个耦接至具有恒定电阻值的参考电阻器，其中，每个存储单元包括用于存储不需要频繁改变的人工智能模型参数的一次性可编程MTJ位单元，并且其中，所述一次性可编程MTJ位单元嵌入在所述人工智能集成电路中；

通过源极线向每个存储单元提供第一电信号以生成第一输出信号；

通过驱动电路向所述参考电阻器提供第二电信号以生成第二输出信号；以及

将所述第一输出信号与所述第二输出信号进行比较以生成指示每个存储单元的状态的输出信号。