[发明专利]一种紫外LED封装结构

说明书

本发明公开了一种紫外LED封装结构，包括基板和透光壳体，所述基板设有电路，所述基板上设有与电路连接的紫外LED芯片，所述透光壳体形成密闭空间，所述紫外LED芯片处于所述透光壳体内，所述基板上与所述紫外LED芯片相背的一侧设有绝缘层，所述绝缘层通过银胶粘帖于所述透光壳体的内壁，所述透光壳体形成的密闭空间外设置电连接触点，所述电连接触点与所述电路连接。本发明不采用有机封装材料，避免封装材料老化问题，采用银胶将基板与透光壳体粘结，可以极大地将芯片的热量传输出来，提高芯片的散热性能。有效提高紫外LED的使用寿命及整体性能。

技术领域

本发明涉及一种LED封装结构，尤其是涉及一种紫外LED封装结构。

背景技术

紫外LED一般指发光中心波长在405nm以下的LED，LED业界通常将发光波长位于355～405nm时称为近紫外LED，而短于300nm时称为深紫外LED。按照更详细的波段与用途，紫外LED可以分为以下三类：(1)UVA：波长在315～405nm之间，主要用于固化，医疗，印刷，光刻，验钞和光催化等；(2)UVB：波长在280～315nm之间，主要用于医疗，生物分析(如DNA)等；(3)UVC：波长小于280nm，主要用于杀菌(水、空气净化)和成分分析等。与传统的紫外汞灯相比紫外LED光源具有：节能省电不含汞，光束角小所需要透镜少，体积小不易碎，响应速度快，使用寿命长，发热少使用安全等优点。然而，目前紫外LED的发光功率不高，除了芯片制作水平的提高外，封装技术对LED的特性也有重要的影响。

通常情况下，紫外LED芯片封装时都用环氧树脂或者硅胶进行灌胶填充，但是环氧树脂或硅胶在紫外光中出现性能恶化，因为树脂中的苯环双重结构容易被紫外光所破坏，加速了树脂的氧化过程。常规的有机封装材料在紫外光的作用下，其性能将发生改变，会加速其变黄老化，同时常规封装的散热性能较差，最终将导致紫外LED的性能及使用寿命下降。公开号为CN108321282A的中国专利公开了一种紫外LED封装器件，包括分别设置于紫外LED两侧的上透光中空壳体与下透光中空壳体，上透光中空壳体的一侧与下透光中空壳体的一侧具有开口端，紫外LED包括基板和设置于基板上的多个晶片，基板的一侧封闭上透光中空壳体的开口端且基板的另一侧封闭下透光中空壳体的开口端，上透光中空壳体的内部与下透光中空壳体的内部真空或充满填充气体。上述封装器件通过透光中空壳体与充满其中的填充气体或者真空来实现对紫外LED的封装，整个封装器件不使用有机封装材料，能够从源头上完全克服紫外光对有机封装材料的老化，从而有效提高紫外LED的性能并延长其使用寿命。

容易理解的是，由于LED芯片在发光过程中会产生热量，热量的积累会导致芯片使用寿命的下降。而上述现有技术中，上透光中空壳体的内部与下透光中空壳体的内部为真空，真空环境无法进行有效散热将严重影响寿命。基于此原因，上述现有技术也做出了相应的改进，即在上透光中空壳体的内部与下透光中空壳体的内部充满填充气体，具体的填充气体选择折射率高、导热系数高且不易发生发反应的气体。该方案使得制造成本上升，同时上透光中空壳体与下透光中空壳体实际上是一个密闭空间，LED芯片表面是缺少气体流动的，因此即便填充了高导热气体，其散热作用仍然有限。

发明内容

针对现有技术的缺陷，本发明提供了一种紫外LED封装结构，密闭透光壳封装时紫外LED芯片的散热问题。

本发明技术方案如下：

一种紫外LED封装结构，包括基板和透光壳体，所述基板设有电路，所述基板上设有与电路连接的紫外LED芯片，所述透光壳体形成密闭空间，所述紫外LED芯片处于所述透光壳体内，所述基板上与所述紫外LED芯片相背的一侧设有绝缘层，所述绝缘层通过银胶粘帖于所述透光壳体的内壁，所述透光壳体形成的密闭空间外设置电连接触点，所述电连接触点与所述电路连接。

进一步的，所述基板呈折线形并形成若干槽结构，所述紫外LED芯片设置于所述槽结构的底面，所述绝缘层设置于所述槽结构的底面的背侧。