[发明专利]封装结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201811517241.8 | 申请日： | 2018-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN111312665B | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | 林溥如;柯正达;陈裕华;曾子章 | 申请（专利权）人： | 欣兴电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/16 | 分类号： | H01L23/16;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张琳 |
| 地址： | 中国台湾桃园市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种封装结构，其特征在于，包括：
线路重布结构，包括第一线路层及设置于该第一线路层之上的第二线路层，其中该第一线路层电性连接该第二线路层；
晶片，设置于该线路重布结构上，并电性连接该第二线路层；
一个或多个结构强化元件，设置于该线路重布结构上，其中该结构强化元件具有30～200GPa的杨氏模数，该结构强化元件经由粘接材料而接合于该线路重布结构；以及
保护层，淹盖该晶片及该结构强化元件的侧壁，其中所述结构强化元件的上表面与该保护层的上表面共平面并且高于该晶片的上表面。
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于：其中该封装结构包括一个结构强化元件，且该结构强化元件围绕该晶片。
3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于：其中该封装结构包括多个结构强化元件，且所述结构强化元件中的一者位于该晶片的第一侧，所述结构强化元件中的另一者位于该晶片的第二侧，且该第二侧与该第一侧相对或相邻。
4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于：其中该结构强化元件与该晶片具有50～1000微米的水平距离。
5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于：其中该结构强化元件的材料包括双马来酰亚胺三嗪树脂、环氧树脂、锡膏或铜膏。
6.一种封装结构，其特征在于，包括：
线路重布结构，包括第一线路层、设置于该第一线路层之上的第二线路层、和在该第二线路层上的导电垫，其中该第一线路层电性连接该第二线路层，该导电垫具有凹陷处；
晶片，设置于该线路重布结构上，并电性连接该第二线路层；
内导电强化元件，接合设置于该线路重布结构的该导电垫上，其中该内导电强化元件包括：
强化层，具有30～200GPa的杨氏模数，其中该强化层具有通孔；以及
导电连接件，设置于该通孔中，其中该导电连接件的顶部及底部暴露于该强化层外，且该导电连接件的该底部接合至该导电垫的该凹陷处且电性连接该第二线路层；
第一保护层，淹盖该晶片及该内导电强化元件的侧壁，其中所述内导电强化元件的上表面与该第一保护层的上表面共平面并且高于该晶片的上表面；以及
电子元件，设置于该第一保护层之上，并电性连接该导电连接件的该顶部。
7.根据权利要求6所述的封装结构，其特征在于，进一步包括：
基板结构，设置于该第一保护层与该电子元件之间，且该电子元件通过该基板结构电性连接至该导电连接件的该顶部；以及
第二保护层，淹盖该电子元件。
8.根据权利要求6所述的封装结构，其特征在于：其中该内导电强化元件围绕该晶片。
9.根据权利要求6所述的封装结构，其特征在于：其中该内导电强化元件与该晶片具有50～1000微米的水平距离。
10.根据权利要求6所述的封装结构，其特征在于：其中该强化层材料包括双马来酰亚胺三嗪树脂、环氧树脂、玻璃或陶瓷。
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