[发明专利]封装结构及其制造方法

说明书

一种封装结构，包括线路重布结构、晶片、一个或多个结构强化元件及保护层。线路重布结构包括第一线路层及设置于第一线路层之上的第二线路层。第一线路层电性连接第二线路层。晶片设置于线路重布结构上，并电性连接第二线路层。一个或多个结构强化元件设置于线路重布结构上。结构强化元件具有30～200GPa的杨氏模数。保护层淹盖晶片及结构强化元件的侧壁。在此揭露的封装结构具有足够的机械强度，不易有翘曲现象的发生。

技术领域

本揭示内容是关于一种封装结构，以及关于一种封装结构的制造方法。

背景技术

传统上，晶片封装结构包括基板、位于基板上的晶片及淹盖晶片的封装材料层。由于基板、晶片及封装材料层的热膨胀系数差异大，当执行热制造过程以形成晶片及封装材料层于基板上时，晶片封装结构经常严重翘曲。因此，降低了晶片封装结构安装在印刷电路板上的良率。

另一方面，当欲形成封装结构形成于另一封装结构上的堆迭式封装结构(package-on-package，POP)时，翘曲现象亦导致制造过程上的困难。

发明内容

本揭示内容的第一实施方式是提供一种封装结构，包括线路重布结构、晶片、一个或多个结构强化元件及保护层。线路重布结构包括第一线路层及设置于第一线路层之上的第二线路层。第一线路层电性连接第二线路层。晶片设置于线路重布结构上，并电性连接第二线路层。一个或多个结构强化元件设置于线路重布结构上。结构强化元件具有30～200GPa的杨氏模数。保护层淹盖晶片及结构强化元件的侧壁。

在本揭示内容的第一实施方式中，封装结构包括一个结构强化元件，且结构强化元件围绕晶片。

在本揭示内容的第一实施方式中，封装结构包括多个结构强化元件，且多个结构强化元件中的一者位于晶片的第一侧，多个结构强化元件中的另一者位于晶片的第二侧，且第二侧与第一侧相对或相邻。

在本揭示内容的第一实施方式中，结构强化元件与晶片具有50～1000微米的水平距离。

在本揭示内容的第一实施方式中，结构强化元件包括但不限于双马来酰亚胺三嗪树脂、环氧树脂、锡膏或铜膏。

在本揭示内容的第一实施方式中，结构强化元件的上表面及保护层的上表面共平面。

本揭示内容的第二实施方式是提供一种封装结构，包括线路重布结构、晶片、内导电强化元件、第一保护层及电子元件。线路重布结构包括第一线路层及设置于第一线路层之上的第二线路层，其中第一线路层电性连接第二线路层。晶片设置于线路重布结构上，并电性连接第二线路层。内导电强化元件设置于线路重布结构上。内导电强化元件包括强化层及导电连接件。强化层具有30～200GPa的杨氏模数，且强化层具有通孔。导电连接件设置于通孔中。导电连接件的顶部及底部暴露于强化层外，且导电连接件的底部电性连接第二线路层。第一保护层淹盖晶片及内导电强化元件的侧壁。电子元件设置于第一保护层之上，并电性连接导电连接件的顶部。

在本揭示内容的第二实施方式中，封装结构进一步包括基板结构及第二保护层。基板结构设置于第一保护层与电子元件之间，且电子元件通过基板结构电性连接至导电连接件的顶部。第二保护层淹盖电子元件。

在本揭示内容的第二实施方式中，内导电强化元件围绕晶片。

在本揭示内容的第二实施方式中，内导电强化元件与晶片具有50～1000微米的水平距离。

在本揭示内容的第二实施方式中，强化层包括但不限于双马来酰亚胺三嗪树脂、环氧树脂、玻璃或陶瓷。

在本揭示内容的第二实施方式中，内导电强化元件的上表面及第一保护层的上表面共平面。