[发明专利]有芯和无芯有机衬底中的磁性材料的脱模层辅助选择性嵌入

权利要求书

1.一种用于集成电路封装的衬底，所述衬底包括：

电介质；

所述电介质内的至少一个导体平面；以及

平面磁性结构，其包括嵌入于所述电介质内的磁性层合体，其中所述磁性层合体包括有机材料，并且其中所述平面磁性结构集成于所述至少一个导体平面内。

2.根据权利要求1所述的衬底，其中所述磁性层合体包括嵌入于聚合物基质中的磁性颗粒，并且其中所述有机材料包括聚合物基质，所述聚合物基质包括环氧树脂。

3.根据权利要求2所述的衬底，其中所述磁性颗粒包括如下中的一种：γ-氧化铁、磁铁矿、铁、镍、钴、钼、锰、镧系元素或Heusler合金。

4.根据权利要求1到3的任一项所述的衬底，包括具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧的芯，其中所述平面磁性结构集成于如下之一之上：所述芯的第一侧或所述芯的第二侧。

5.根据权利要求1所述的衬底，其中所述平面磁性结构与所述至少一个导体平面内的一个或多个铜结构具有界面。

6.根据权利要求1所述的衬底，其中所述平面磁性结构与所述至少一个导体平面内的一个或多个铜结构具有共形界面。

7.根据权利要求5所述的衬底，其中脱模膜介于所述平面磁性结构和所述一个或多个铜结构之间。

8.根据权利要求1所述的衬底，其中所述电介质包括有机层合体，并且其中所述平面磁性结构与所述有机层合体具有界面。

9.根据权利要求1所述的衬底，其中所述导体平面是第一导体平面，并且其中所述平面磁性结构交叉在所述第一导体平面和第二导体平面之间。

10.根据权利要求1所述的衬底，其中所述平面磁性结构具有范围在5和20之间的相对磁导率。

11.根据权利要求1所述的衬底，其中所述平面磁性结构具有至少20微米的厚度。

12.根据权利要求1所述的衬底，其中，所述衬底是无芯衬底。

13.根据权利要求1所述的衬底，其中所述平面磁性结构为平面电感器芯。

14.根据权利要求13所述的衬底，包括所述平面电感器芯之上的电感器绕组。

15.根据权利要求14所述的衬底，包括衬底芯，其中所述平面电感器芯在所述衬底芯的第一侧之上，并且所述电感器绕组在所述衬底芯的第二侧之上。

16.一种系统，包括：

存储器；

耦合到所述存储器的处理器，其中所述处理器包括根据权利要求1到15的任一项所述的衬底；以及

无线收发器，其允许所述处理器向外部装置无线通信。

17.一种用于形成集成电路封装的方法，所述方法包括：

形成包括电介质和所述电介质之上的导体平面的衬底；

对所述导体平面进行图案化以在所述电介质之上形成金属结构；

形成抗粘合膜的一个或多个岛状物，其中所述抗粘合膜的一个或多个岛状物与所述金属结构和所述电介质具有部分界面；

在所述衬底之上层合磁性膜，其中所述磁性膜与所述抗粘合膜的一个或多个岛状物、所述金属结构和所述电介质具有界面；以及

在所述金属结构和所述电介质之上形成磁性膜的岛状物。

18.根据权利要求17所述的方法，其中形成所述抗粘合膜的一个或多个岛状物包括在所述衬底的选定区域之上印刷抗粘合浆料，其中所述衬底的选定区域包括所述金属结构和所述电介质。