[发明专利]光电二极管的制备方法及光电二极管

权利要求书

1.一种光电二极管的制备方法，其特征在于，其包括：

步骤S101：提供一个第一导电类型的衬底，在所述衬底上形成氧化层；

步骤S102：对所述氧化层进行刻蚀形成间隔排列的两个第一沟槽，向所述第一沟槽的底部注入第二导电类型的离子形成延伸至所述衬底的第一注入区；

步骤S103：去除两个第一沟槽之间的氧化层形成第一开口，去除部分所述氧化层形成间隔排列的两个第二沟槽及形成在两个第二沟槽之间的第二开口，分别向所述第一开口、所述第二沟槽及所述第二开口注入第一导电类型的离子，所述第一开口对应的位置形成第二注入区、所述第二沟槽对应的位置形成第三注入区及所述第二开口对应的位置形成第四注入区；

步骤S104：去除所述氧化层，在所述衬底、所述第一注入区、所述第二注入区、所述第三注入区及所述第四注入区的上表面形成介质层；

步骤S105：对所述第一注入区及所述第三注入区的上表面的介质层形成接触孔，之后在所述介质层及所述接触孔内形成金属层，刻蚀去除所述衬底、所述第二注入区及所述第四注入区的上表面对应的金属层；

步骤S106：先向所述金属层的上表面及所述金属层的两侧涂覆光刻胶层，刻蚀去除未被所述光刻胶层覆盖的所述介质层，之后去除所述光刻胶层形成间隔排列的第一二极管和第二二极管，最后得到光电二极管。

2.根据权利要求1所述的一种光电二极管的制备方法，其特征在于：所述步骤S101中，在所述衬底上采用热氧化法形成所述氧化层，所述氧化层的厚度在0～0.8微米范围内。

3.根据权利要求1所述的一种光电二极管的制备方法，其特征在于：所述步骤S102中，先在所述氧化层上间隔涂覆光刻胶，采用干法刻蚀形成所述第一沟槽，注入的第二导电类型的离子为硼，注入的剂量为3E15，注入能量为50KeV。

4.根据权利要求1所述的一种光电二极管的制备方法，其特征在于：所述步骤S103中，先在所述第一沟槽及所述氧化层上间隔涂覆光刻胶，采用干法刻蚀技术形成所述第一开口、所述第二沟槽及所述第二开口。

5.根据权利要求4所述的一种光电二极管的制备方法，其特征在于：所述第一导电类型的离子为硼，注入的剂量为2E14，注入的能量为50KeV。

6.根据权利要求1所述的一种光电二极管的制备方法，其特征在于：所述步骤S104中，采用湿法刻蚀技术去除所述氧化层，所述介质层的材料为磷硅玻璃或者硼磷硅玻璃。

7.根据权利要求1所述的一种光电二极管的制备方法，其特征在于：所述步骤S105中，所述金属层的材料为铝，之后采用干法刻蚀技术去除部分所述金属层。

8.根据权利要求1所述的一种光电二极管的制备方法，其特征在于：所述步骤S106中，采用磷酸溶液去除所述介质层，所述磷酸溶液的温度范围为100～200℃。

9.根据权利要求1所述的一种光电二极管的制备方法，其特征在于：所述的第二注入区、所述第三注入区及所述第四注入区的掺杂浓度小于所述第一注入区的掺杂浓度。

10.一种光电二极管，其特征在于，采用如权利要求1至9任一项所述的光电二极管的制备方法制备而成，所述光电二极管包括：

第一导电类型的衬底；

形成在所述衬底上的间隔排列的第一二极管及第二二极管，所述第一二极管与所述第二二极管通过位于所述衬底的上表面的介质层相连；

所述第一二极管包括间隔排列在所述衬底内的第一导电类型的第一注入区及位于所述第一注入区之间的第一导电类型的第二注入区；

所述第二二极管包括位于所述衬底内的第一导电类型的第三注入区级第四注入区，所述第一二极管及所述第二二极管均包括贯穿所述介质层位于所述第一注入区及所述第三注入区的上表面且部分位于所述介质层的上表面的金属层。