[发明专利]光电二极管的制备方法及光电二极管

说明书

本发明提供光电二极管的制备方法，包括S101：在衬底上形成氧化层；S102：在氧化层形成间隔的两个第一沟槽，在两个第一沟槽的底部形成第一注入区；S103：在衬底上形成第一开口、两个第二沟槽及两个第二沟槽之间的第二开口，对应的位置注入离子形成第二注入区、第三注入区及第四注入区；S104：去除氧化层，在衬底上形成介质层；S105：对第一注入区及第三注入区上的介质层进行刻蚀形成接触孔，之后在介质层及接触孔内形成金属层；S106：先向金属层的上表面及金属层的两侧涂覆光刻胶层，刻蚀去除未被光刻胶层覆盖的介质层，之后去除光刻胶层，最后得到光电二极管。本发明还提供一种光电二极管，提高了表面状态和可靠性。

技术领域

本发明涉及半导体芯片制造工艺技术领域，尤其涉及光电二极管的制备方法及光电二极管。

背景技术

普通二极管在反向电压作用时处于截止状态，只能流过微弱的反向电流，光电二极管在设计和制作时尽量使PN结的面积相对较大，以便接收入射光。光电二极管是在反向电压作用下工作的，没有光照时，反向电流极其微弱，叫暗电流；有光照时，反向电流迅速增大到几十微安，称为光电流。光的强度越大，反向电流也越大。光的变化引起光电二极管电流变化，这就可以把光信号转换成电信号，成为光电传感器件。

目前，根据光电二极管的不同性能参数应用到不同的领域，在实际光电二极管的制备工艺中，在刻蚀金属时往往会出现金属与半导体之间产生互溶的现象，导致光电二极管出现玷污或损伤，这样极大的影响了光电二极管的表面状态，也使光电二极管的可靠性降低。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种防止二极管被玷污和损伤、提高二极管的可靠性的一种光电二极管的制备方法，来解决上述存在的技术问题，一方面，本发明采用以下具体技术方案来实现。

一种光带二极管的制备方法，其包括：

步骤S101：提供一个第一导电类型的衬底，在所述衬底上形成氧化层；

步骤S102：对所述氧化层进行刻蚀形成间隔排列的两个第一沟槽，向所述第一沟槽的底部注入第二导电类型的离子形成延伸至所述衬底的第一注入区；

步骤S103：去除两个第一沟槽之间的氧化层形成第一开口，去除部分所述氧化层形成间隔排列的两个第二沟槽及形成在两个第二沟槽之间的第二开口，分别向所述第一开口、所述第二沟槽及所述第二开口注入第一导电类型的离子，所述第一开口对应的位置形成第二注入区、所述第二沟槽对应的位置形成第三注入区及所述第二开口对应的位置形成第四注入区；

步骤S104：去除所述氧化层，在所述衬底、所述第一注入区、所述第二注入区、所述第三注入区及所述第四注入区的上表面形成介质层；

步骤S105：对所述第一注入区及所述第三注入区的上表面的介质层形成接触孔，之后在所述介质层及所述接触孔内形成金属层，刻蚀去除所述衬底、所述第二注入区及所述第四注入区的上表面对应的金属层；

步骤S106：先向所述金属层的上表面及所述金属层的两侧涂覆光刻胶层，刻蚀去除未被所述光刻胶层覆盖的所述介质层，之后去除所述光刻胶层形成间隔排列的第一二极管和第二二极管，最后得到光电二极管。

另一方面，本发明还提供一种光电二极管，采用上述光电二极管的制备方法制备而成，所述光电二极管包括：

第一导电类型的衬底；

形成在所述衬底上的间隔排列的第一二极管及第二二极管，所述第一二极管与所述第二二极管通过位于所述衬底的上表面的介质层相连；

所述第一二极管包括间隔排列在所述衬底内的第一导电类型的第一注入区及位于所述第一注入区之间的第一导电类型的第二注入区；