[发明专利]一种显示面板的制备方法、显示面板及显示装置有效
申请号: | 201811519363.0 | 申请日: | 2018-12-12 |
公开(公告)号: | CN109560115B | 公开(公告)日: | 2020-09-22 |
发明(设计)人: | 邹建华;徐苗;陶洪;王磊;李洪濛;刘文聪;徐华;李民;彭俊彪 | 申请(专利权)人: | 广州新视界光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
地址: | 510700 广东省广州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 制备 方法 显示装置 | ||
本发明公开了一种显示面板的制备方法、显示面板及显示装置。其中,显示面板的制备方法包括:提供衬底;在衬底上形成位于红色子像素的红光反射电极、位于绿色子像素的绿光反射电极和位于蓝色子像素的蓝光反射电极;在红光反射电极远离衬底一侧的表面形成透明绝缘层,其中,透明绝缘层的面积小于红光反射电极的面积;在透明绝缘层、未被透明绝缘层覆盖的红光反射电极以及绿光反射电极远离衬底一侧的表面形成透明导电层。本发明解决了现有技术中刻蚀多层透明导电层时无法保证刻蚀选择比的问题,避免了现有技术中无需刻蚀的透明导电层被部分刻蚀掉,提高了对光学调节层刻蚀的精度。
技术领域
本发明实施例属于显示技术领域,涉及一种显示面板的制备方法、显示面板及显示装置。
背景技术
实现有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)彩色化的技术中,包含有两种主流技术,即微腔效应RGB像素独立发光技术,和白色发光材料配合彩色滤光片技术。
微腔效应RGB像素独立发光需要利用精密的金属荫罩与像素对位技术,制备微腔效应的红、绿、蓝三基色发光中心,实现彩色化,需要使用精密的金属荫罩,而使用金属荫罩的方法难以确保子像素的定位精度,比较难实现高像素密度的显示面板,而且,精密金属荫罩价格昂贵,会导致成本增加。
白色发光材料与彩色滤光片相组合的方法,首先制备发白光OLED器件,然后通过彩色滤光片得到三基色,再组合三基色实现彩色显示,制备过程不需要精密的金属荫罩对位技术,可采用成熟的液晶显示器的彩色滤光片制备技术,容易实现面板大型化,也比较容易实现高像素密度,所以是未来制备OLED显示器技术中具有潜力的全彩色化技术。
OLED器件按照光从器件出射方向的不同,可以分为两种结构:一种是底发射型器件,另一种是顶发射型器件。顶发射型器件所发出的光是从器件的顶部出射,这就不受器件底部驱动面板的影响从而能有效的提高开口率,有利于器件与底部驱动电路的集成,所以高像素密度的OLED器件一般需要采用顶发射发光器件结构。
传统的顶发射型白光OLED显示面板中,各子像素对应的光学腔长一致,导致白光有机发光层发出的光,在同一腔长下产生微腔效应,比较难实现RGB同时增强,甚至RGB都无法同时出光,影响显示装置最终的彩色化。
目前,可在反射电极上,采用黄光区工艺,在红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素上制备不同厚度透明导电层来实现RGB光学腔长的调节。但是,透明导电层的材料性质类似,在做多层刻蚀时,比较难保证刻蚀选择比,导致过刻,使得不该被刻蚀的透明导电层被部分刻蚀掉;又或者在做上一层薄膜的时候,下一层薄膜容易结晶,导致薄膜无法刻蚀。
发明内容
有鉴于此,本发明的目的是提出一种显示面板的制备方法、显示面板及显示装置,以便于实现对光学调节层刻蚀的选择,提高对光学调节层刻蚀的精度。
为实现上述目的,本发明采用如下技术方案:
第一方面,本发明实施例提供了一种显示面板的制备方法,所述显示面板包括多个像素,每个所述像素至少包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素,所述显示面板的制备方法包括:
提供衬底;
在所述衬底上形成位于所述红色子像素的红光反射电极、位于所述绿色子像素的绿光反射电极和位于所述蓝色子像素的蓝光反射电极;
在所述红光反射电极远离所述衬底一侧的表面形成透明绝缘层,其中,所述透明绝缘层的面积小于所述红光反射电极的面积;
在所述透明绝缘层、未被所述透明绝缘层覆盖的所述红光反射电极以及所述绿光反射电极远离所述衬底一侧的表面形成透明导电层;
在相邻的子像素之间形成像素定义层;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的