[发明专利]基片处理装置、基片处理方法和存储介质

说明书

本发明的技术问题为，在图案曝光后进行的使用LED的曝光处理装置中，避免由因LED的温度变化而发光状态改变所导致的处理中产生故障的情况。本发明的解决方案为，将从向壳体(10)内的送入晶片(W)时起至曝光后的晶片(W)的送出准备结束的时刻为止作为一个循环。将一个循环结束后下一循环开始为止产生的时间段设为待机时间段。当设空闲发光时、曝光时的照度分别为Id、Is，设空闲发光、曝光的时间分别为Td、Ts时，以Id＝(Tp/Td)·Iw－(Ts/Td)·Is的方式来决定Id，由此基片间的一个循环内的平均照度成为一定的。

技术领域

本发明涉及一种为了对基片进行处理而对该基片照射光的技术。

背景技术

在半导体器件的制造领域中，作为实现电路图案的高分辨率的方法，例如已知有极紫外(EUV，Extreme-Ultraviolet)曝光，不过EUV曝光存在当增大曝光光源的光强度时装置规模变大、成本增加的技术问题。

因此，专利文献1中公开了如下曝光装置：在涂敷有光敏化学增幅型抗蚀剂的半导体晶片(下面称为“晶片”)上使用图案掩模进行了图案曝光后，再对图案曝光区域进行一并曝光，使晶片上的图案(回路图案)的线宽的面内均匀性良好。该一并曝光装置使用LED(Light Emitting Diode：发光二极管)作为光源，在晶片上形成比晶片的直径稍长的带状照射区域，通过使晶片在与照射区域的延伸方向正交的方向上移动，来对晶片的表面整体进行曝光。

一并曝光装置组装在包括对晶片涂敷抗蚀剂的涂敷装置、对使用图案掩模进行了曝光后的晶片进行显影的显影装置等的涂敷显影装置中。LED的温度基于LED自身的发热和周围的温度而定，但是在点亮LED后或者在改变LED的照度后，至稳定为止，需要花费一些时间。

因此，在由一并曝光装置进行的前一批次的晶片处理结束后至运送下一批次的晶片为止空出较长的时间时，在LED的温度不稳定的状态下进行下一批次的晶片的曝光。此外，即使在前一批次的晶片的处理结束后，马上进行下一批次的晶片的曝光的情况下，当前一批次的晶片的曝光中的LED的照度与后一批次的晶片的曝光中的照度不同时，也在LED的温度不稳定的状态下进行下一批次的晶片的曝光。

LED中，即使驱动电流相同，照度(一定的面上的照度)也因温度而变化。在电路图案的线宽微小的情况下，照射区域的照度对图案的线宽的变化率的影响程度变大。作为使照射区域的照度一定的方法，已知一种由亮度传感器检测LED的发光状态，反馈检测信号来使照度一定的方法(专利文献2)，但是该方法中，装置构造变得复杂。

此外，因LED的温度变化而光谱特性变化，因抗蚀剂的种类不同，而显影后的图案的线宽偏离于预定的尺寸，若未来图案的线宽变得更微小，则存在对成品率产生影响的担忧，而上述方法不是能够消除该担忧的技术。

在如上述那样使用了LED的曝光装置中，由于因温度变化而LED的发光状态改变，因此稳定的曝光可能变得困难。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2015－156472号公报

专利文献2：日本特开2010－80906号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明是在上述那样的情况下完成的，其目的在于提供如下技术：在使用因温度而发光状态改变的光源部，对基片照射光以对该基片进行处理而的基片处理装置中，在基片间使光源部的发光状态稳定，能够对基片进行稳定的作业。

用于解决技术问题的技术方案

本发明的一种基片处理装置能够在从外部向壳体内送入基片起至将该基片送出外部的准备就绪为止或者至基片被送出到外部为止的一个循环期间中，为了对基片进行处理而对该基片照射光，该基片处理装置的特征在于，包括：