[发明专利]一种表面等离子体激元全光二极管实现方法

权利要求书

1.一种表面等离子体激元全光二极管实现方法，包括背景、波导、第一短腔和第二短腔；其特征在于，所述背景的中部对称设置有所述波导，所述波导之间设置有所述第一短腔和第二短腔，且第一短腔和第二短腔自左向右并肩排列，第一短腔和第二短腔之间设置有间隔，第一短腔与左侧波导以及第二短腔与右侧波导之间的水平距离相等。

2.根据权利要求1所述的表面等离子体激元全光二极管实现方法，其特征在于，所述背景的材料为银。

3.根据权利要求1所述的表面等离子体激元全光二极管实现方法，其特征在于，所述波导为金属-绝缘体-金属波导，绝缘体的材料为熔融石英，介电常数为2.31。

4.根据权利要求1所述的表面等离子体激元全光二极管实现方法，其特征在于，所述第一短腔和第二短腔为表面等离子体激元微腔；第一短腔为引入非线性有机聚合物的非线性腔；第二短腔为线性腔。

5.根据权利要求4所述的表面等离子体激元全光二极管实现方法，其特征在于，所述非线性有机聚合物为非线性Kerr材料。

6.根据权利要求5所述的表面等离子体激元全光二极管实现方法，其特征在于，所述非线性Kerr材料的介电常数ε_c取决于电场的强度|E²|：ε_c＝ε₀+χ⁽³⁾|E²|；线性介电常数ε₀的值也是2.31，典型的三阶非线性磁化率是χ⁽³⁾＝1.4×10^-7esu≈1×10^-15m²/V²。