[发明专利]半导体装置封装及其制造方法在审
| 申请号： | 201811523001.9 | 申请日： | 2018-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN110459519A | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 吕文隆;方仁广 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L23/48;H01L23/373;H01L23/31;H01L21/56;H01L23/367 |
| 代理公司： | 11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 蕭輔寬<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 中国台湾高雄市楠梓*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 中间导电层 第一导电层 第二导电层 第一表面 第二表面 连接结构 半导体装置 热膨胀系数 材料形成 封装 制造 | ||
1.一种连接结构，其包括：
中间导电层，其包含第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述中间导电层具有第一热膨胀系数(CTE)；
第一导电层，其与所述中间导电层的所述第一表面接触，所述第一导电层具有第二CTE；
第二导电层，其与所述中间导电层的所述第二表面接触，
其中所述第一导电层和所述第二导电层由相同材料形成；以及
其中所述第一CTE和所述第二CTE中的一者为负，且另一者为正。
2.根据权利要求1所述的连接结构，其中所述第一导电层和所述中间导电层中的一者包含含有碳原子的6元环。
3.根据权利要求1所述的连接结构，其中所述第一导电层和所述中间导电层中的一者包含石墨烯。
4.根据权利要求1所述的连接结构，其中所述第一导电层的厚度等于所述第二导电层的厚度。
5.根据权利要求4所述的连接结构，其中
其中tg是所述第一导电层的厚度，tc是所述中间导电层的厚度，CTEc是所述第一CTE，且CTEg是所述第二CTE；以及
所述第二CTE为负。
6.根据权利要求4所述的连接结构，其中
所述第二CTE为负；以及
所述第一导电层的厚度与所述中间导电层的厚度的比率在从约1.75到8的范围内。
7.根据权利要求4所述的连接结构，其中
其中tg是所述第一导电层的厚度，tc是所述中间导电层的厚度，CTEg是所述第一CTE，且CTEc是所述第二CTE；以及
所述第一CTE为负。
8.根据权利要求4所述的连接结构，其中
所述第一CTE为负；以及
所述第一导电层的厚度与所述中间导电层的厚度的比率在从约0.43到2的范围内。
9.根据权利要求1所述的连接结构，其中所述中间导电层、所述第一导电层和所述第二导电层界定迹线。
10.根据权利要求1所述的连接结构，其中所述中间导电层、所述第一导电层和所述第二导电层界定导电通孔。
11.一种连接结构，其包括：
中间导电层，其包含第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；
第一导电层，其与所述中间导电层的所述第一表面接触；
第二导电层，其与所述中间导电层的所述第二表面接触，
其中所述第一导电层和所述第二导电层由相同材料形成，且所述第一导电层和所述中间导电层中的一者包含含有碳原子的6元环。
12.根据权利要求11所述的连接结构，其中所述第一导电层和所述中间导电层中的一者包含由多个6元环建构的基本平面。
13.根据权利要求11所述的连接结构，其中所述第一导电层和所述中间导电层中的一者具有负CTE。
14.根据权利要求13所述的连接结构，其中所述第一导电层的厚度等于所述第二导电层的厚度。
15.根据权利要求14所述的连接结构，其中
所述第一导电层具有负CTE；以及
所述第一导电层的厚度与所述中间导电层的厚度的比率在从约1.75到8的范围内。
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