[发明专利]半导体装置封装及其制造方法

说明书

半导体装置封装及其制造方法。本发明提供一种连接结构。所述连接结构包含中间导电层、第一导电层和第二导电层。所述中间导电层包含第一表面和与第一表面相对的第二表面。所述中间导电层具有第一热膨胀系数。所述第一导电层与所述中间导电层的第一表面接触。所述第一导电层具有第二CTE。所述第二导电层与所述中间导电层的第二表面接触。所述第一导电层和所述第二导电层由相同材料形成。所述第一CTE和所述第二CTE中的一者为负，且另一者为正。

技术领域

本发明大体上涉及一种半导体封装装置及其制造方法。

背景技术

随着电力消耗在电子集成电路中增加，耗散所述电子集成电路所产生的热量具有挑战性，且因此热量将累积在所述电子集成电路的导电迹线或通孔中。因为电子集成电路包含由不同材料形成的多个组件(例如电介质层、导电迹线或通孔)，所述组件之间的热膨胀系数(CTE)失配会致使翘曲，这将使导电迹线/通孔与电介质层之间的界面出现分层。

发明内容

在一或多个实施例中，连接结构包含中间导电层、第一导电层和第二导电层。所述中间导电层包含第一表面和与第一表面相对的第二表面。所述中间导电层具有第一热膨胀系数。所述第一导电层与所述中间导电层的第一表面接触。所述第一导电层具有第二CTE。所述第二导电层与所述中间导电层的第二表面接触。所述第一导电层和所述第二导电层由相同材料形成。所述第一CTE和所述第二CTE中的一者为负，且另一者为正。

在一或多个实施例中，连接结构包含中间导电层、第一导电层和第二导电层。所述中间导电层包含第一表面和与第一表面相对的第二表面。所述第一导电层与所述中间导电层的第一表面接触。所述第二导电层与所述中间导电层的第二表面接触。所述第一导电层和所述第二导电层由相同材料形成。第一导电层和中间导电层中的一者包含含有碳原子的6元环。

附图说明

根据结合附图阅读的以下详细描述最好地理解本公开的各方面。应注意，各种特征可能未按比例绘制，且各种特征的尺寸可出于论述的清楚起见而任意增大或减小。

图1A说明根据本公开的一些实施例的连接结构的横截面图。

图1B说明根据本公开的一些实施例的连接结构的横截面图。

图2说明根据本发明的一些实施例的衬底的横截面图。

图3A说明根据本发明的一些实施例的衬底的横截面图。

图3B说明根据本发明的一些实施例的衬底的横截面图。

图3C说明根据本发明的一些实施例的衬底的横截面图。

图4A说明根据本公开的一些实施例的半导体装置封装的横截面图。

图4B说明根据本公开的一些实施例的半导体装置封装的横截面图。

图5A说明根据本公开的一些实施例的半导体装置封装的横截面图。

图5B说明根据本公开的一些实施例的半导体装置封装的横截面图。

图6A、图6B、图6C、图6D、图6E、图6F和图6G说明根据本公开的一些实施例的制造半导体装置封装的方法。

图7A和7B说明根据本公开的一些实施例的各种类型的半导体封装装置。

贯穿图式和详细描述使用共同参考编号来指示相同或相似元件。根据以下结合附图作出的详细描述将容易理解本公开。

具体实施方式

图1A说明根据本公开的一些实施例的连接结构1A的横截面图。在一些实施例中，连接结构1A可为衬底(或所述衬底的一部分)、引线框(或所述引线框的一部分)、导电迹线、导电通孔或可将一个组件或端子电连接到另一组件或端子的任何其它连接结构。连接结构1A包含导电层10、11和12。