[发明专利]一种用于制备透明显示屏格栅的设备及其生产工艺

权利要求书

1.一种用于制备透明显示屏格栅的设备，其特征在于：包括前处理机构、若干镀膜机构、传送机构(8)和其他功能机构，所述前处理机构包括表面前处理腔(1)，所述前处理腔(1)的内部设置有真空系统、供气系统、热蒸发系统、磁控溅射系统、掩膜定位系统；

所述镀膜机构包括Si膜制备腔(2)、Au膜制备腔(3)和Si基格栅制备腔(4)，所述Si膜制备腔(2)内设置有真空系统、供气系统、热蒸发系统、磁控溅射系统和掩膜定位系统；

所述Au膜制备腔(3)内设置有真空系统、供气系统、热蒸发系统、磁控溅射系统和掩膜定位系统；

所述Si基格栅制备腔(4)内设置有真空系统、供气系统、热蒸发系统、磁控溅射系统、掩膜定位系统和加热系统。

2.根据权利要求1所述的一种用于制备透明显示屏格栅的设备，其特征在于：所述其他功能机构包括若干功能腔，各功能腔内设置有真空系统、供气系统、热蒸发系统、磁控溅射系统和掩膜定位系统中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的一种用于制备透明显示屏格栅的设备，其特征在于：各所述机构之间通过共用腔(7)相互连通，各机构与共用腔(7)的连接处设置有若干相应的法兰(6)和阀门。

4.根据权利要求1所述的一种用于制备透明显示屏格栅的设备，其特征在于：所述衬底(11)包括玻璃等透明材料和提前制备了功能薄膜层的透明材料。

5.一种用于制备透明显示屏格栅设备的生产工艺，其特征在于，包括以下步骤：

S1：衬底(11)的表面预处理

将衬底(11)材料放置于传送机构(8)上，由控制器启动各机构，将衬底(11)传送至表面前处理腔(1)，通过等离子清洗方式对衬底(11)表面进行清洗；

S2：制备Si膜(21)层

传送机构(8)将预处理后的衬底(11)输送至Si膜制备腔(2)，Si基靶材表面产生的Si粒子沉积到衬底(11)的掩膜镂空处，生长出Si薄膜；

S3：制备Au膜层

传送机构(8)将沉积有Si膜(21)的衬底(11)输送至Au膜制备腔(3)，将Au基靶材表面产生的Au粒子沉积到衬底(11)的掩膜镂空处，形成Si/Au薄膜(31)；

S4：制备Si基格栅(41)

传送机构(8)将表面沉积有Si/Au薄膜(31)的衬底(11)输送至Si基格栅制备腔(4)，通过加热系统对衬底(11)进行加热，通入含Si的气体进行反应，最终在Si/Au薄膜(31)处生长出柱状格栅。

6.根据权利要求5所述的一种用于制备透明显示屏格栅设备的生产工艺，其特征在于：所述步骤S2中Si薄膜制备方式为通过磁控溅射、电子束蒸发或激光脉冲蒸发，生长出的所述Si薄膜的厚度为2～10nm，等效直径为10nm～2000nm。

7.根据权利要求5所述的一种用于制备透明显示屏格栅设备的生产工艺，其特征在于：所述步骤S3中Au薄膜制备方式为磁控溅射、电子束蒸发或激光脉冲蒸发，生长出的所述Au薄膜的厚度为1～8nm，等效直径为10nm～2000nm。

8.根据权利要求5所述的一种用于制备透明显示屏格栅设备的生产工艺，其特征在于：所述步骤S4中加热后温度保持在365～600，℃所述含Si气体的流速为1sccm～1000sccm，生长出的所述Si基格栅(41)的直径为10～500nm，高度为200～5000nm。